[发明专利]微型发光元件结构有效
申请号: | 201710958089.6 | 申请日: | 2017-10-16 |
公开(公告)号: | CN109671661B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 罗玉云;吴志凌;苏义闵 | 申请(专利权)人: | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 开曼群岛大开曼岛,大展馆商业中心,奥林德道*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光 元件 结构 | ||
1.一种微型发光元件结构,其特征在于,包括:
临时基板;
至少一微型发光元件,配置于所述临时基板上,且所述至少一微型发光元件与所述临时基板之间具有垂直距离;
固定结构,配置于所述临时基板上且直接接触所述至少一微型发光元件;以及
至少一缓冲结构,直接接触所述固定结构,其中所述至少一缓冲结构的杨氏模量小于所述固定结构的杨氏模量,
其中所述至少一微型发光元件具有彼此相对的第一表面与第二表面以及连接所述第一表面与所述第二表面的周围表面,所述第一表面面对所述临时基板,所述第二表面相对远离所述临时基板,所述固定结构从所述周围表面往所述临时基板的方向延伸配置于所述临时基板上,而所述固定结构从所述周围表面更延伸配置于所述至少一微型发光元件的至少部分所述第二表面上所述固定结构与所述临时基板具有间距,所述至少一缓冲结构包括多个缓冲结构,位于所述固定结构与所述临时基板的所述间距之间且直接接触所述临时基板以及所述固定结构,而所述至少一微型发光元件、所述多个缓冲结构以及所述临时基板定义出空气间隙。
2.根据权利要求1所述的微型发光元件结构,其特征在于,所述固定结构的最大形变量小于所述至少一微型发光元件与所述临时基板之间的所述垂直距离。
3.根据权利要求1所述的微型发光元件结构,其特征在于,所述多个缓冲结构直接接触所述至少一微型发光元件的至少部分所述周围表面或/和至少部分所述第一表面。
4.根据权利要求1所述的微型发光元件结构,其特征在于,所述微型发光元件结构还包括:
应力缓冲结构,配置于所述至少一微型发光元件与所述临时基板间且至少直接接触所述至少一微型发光元件、所述多个缓冲结构、所述临时基板或上述的组合,所述应力缓冲结构于所述临时基板上的正投影面积小于所述至少一微型发光元件于所述临时基板上的正投影面积。
5.根据权利要求4项所述的微型发光元件结构,其特征在于,所述应力缓冲结构的杨氏模量小于所述多个缓冲结构的杨氏模量。
6.根据权利要求1所述的微型发光元件结构,其特征在于,所述缓冲结构直接接触所述固定结构、所述临时基板以及所述至少一微型发光元件,且所述固定结构、所述至少一微型发光元件以及所述临时基板定义出配置区,而所述至少一缓冲结构填满所述配置区。
7.根据权利要求1所述的微型发光元件结构,其特征在于,所述固定结构与所述第二表面的接触面积与所述第二表面的表面积的比值介于0.05至0.5。
8.根据权利要求1所述的微型发光元件结构,其特征在于,所述固定结构连续地配置于所述至少一微型发光元件的所述第二表面。
9.根据权利要求1所述的微型发光元件结构,其特征在于,所述固定结构暴露出所述至少一微型发光元件的部分所述第二表面。
10.根据权利要求9所述的微型发光元件结构,其特征在于,各所述固定结构配置于所述至少一微型发光元件的所述第二表面上的第一宽度与所述至少一微型发光元件的所述第二表面的第二宽度的比值介于0.1至0.8之间。
11.根据权利要求1所述的微型发光元件结构,其特征在于,所述至少一缓冲结构包括多个缓冲结构,配置于所述固定结构、所述至少一微型发光元件与所述临时基板之间且直接接触所述固定结构、所述至少一微型发光元件与所述临时基板,各所述多个缓冲结构在垂直剖面上的高度等于所述至少一微型发光元件在垂直剖面上从所述第二表面到所述临时基板的高度。
12.根据权利要求1所述的微型发光元件结构,其特征在于,所述固定结构直接接触至少部分所述周围表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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