[发明专利]微型发光元件结构有效
申请号: | 201710958089.6 | 申请日: | 2017-10-16 |
公开(公告)号: | CN109671661B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 罗玉云;吴志凌;苏义闵 | 申请(专利权)人: | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 开曼群岛大开曼岛,大展馆商业中心,奥林德道*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光 元件 结构 | ||
本发明提供一种微型发光元件结构,包括基板、至少一微型发光元件、固定结构以及至少一缓冲结构。微型发光元件配置于基板上,且微型发光元件与基板之间具有垂直距离。固定结构配置于基板上且直接接触微型发光元件。缓冲结构直接接触固定结构,其中缓冲结构的杨氏模量小于固定结构的杨氏模量。
技术领域
本发明涉及一种半导体结构,尤其涉及一种微型发光元件结构。
背景技术
目前微型发光二极管的转移主要是提供静电力或磁力等超距力的方式,将载体基板上的微型发光二极管转板至接收基板上。一般来说,发光二极管会提供固定结构来固持而使微型发光二极管较容易自载体基板上拾取并运输与转移至接收基板上放置,且通过固定结构来巩固微型发光二极管于转板时不会受到其他外因而影响质量。然而,由于固定结构本身的材料脆性的问题,使得固定结构在固持微型发光二极管运输与转移的过程中容易因受到的外力而脆裂,致使微型发光二极管的运输与转移的良率下降。如何让微型固定结构可以暂时地固持微型发光二极管,且可以更轻易且更有效率地运输与转移微型发光二极管于载体基板与接收基板之间,已成为目前业界相当重视的课题之一。
发明内容
本发明提供一种微型发光元件结构,其具有直接接触固定结构的缓冲结构,可有效提升微型发光元件的运输与转移的良率。
本发明的微型发光元件结构,其包括基板、至少一微型发光元件、固定结构以及至少一缓冲结构。微型发光元件配置于基板上,且微型发光元件与基板之间具有垂直距离。固定结构配置于基板上且直接接触微型发光元件。缓冲结构直接接触固定结构,其中缓冲结构的杨氏模量小于固定结构的杨氏模量。
在本发明的一实施例中,上述的固定结构的最大形变量小于微型发光元件与基板之间的垂直距离。
在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件具有彼此相对的第一表面与第二表面以及连接第一表面与第二表面的周围表面,第一表面面对基板,而第二表面相对远离基板,固定结构从周围表面往基板的方向延伸配置于基板上。
在本发明的一实施例中,上述的固定结构与基板具有间距,缓冲结构包括多个缓冲结构,位于固定结构与基板的间距之间且直接接触基板以及固定结构,而微型发光元件、缓冲结构以及基板定义出空气间隙。
在本发明的一实施例中,上述的缓冲结构直接接触微型发光元件的至少部分周围表面或/和至少部分第一表面。
在本发明的一实施例中,上述的固定结构直接接触基板,缓冲结构包括多个缓冲结构,位于固定结构与基板间且直接接触基板以及固定结构,而微型发光元件、缓冲结构以及基板定义出空气间隙。
在本发明的一实施例中,上述的缓冲结构直接接触微型发光元件的至少部分周围表面或/和至少部分第一表面。
在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件结构还包括应力缓冲结构,配置于微型发光元件与基板间且至少直接接触微型发光元件、缓冲结构、基板或上述的组合,应力缓冲结构于基板上的正投影面积小于微型发光元件于基板上的正投影面积。
在本发明的一实施例中,上述的应力缓冲结构的杨氏模量小于缓冲结构的杨氏模量。
在本发明的一实施例中,上述的缓冲结构直接接触固定结构、基板以及微型发光元件,且固定结构、微型发光元件以及基板定义出配置区,而缓冲结构填满配置区。
在本发明的一实施例中,上述的固定结构从周围表面更延伸配置于微型发光元件的至少部分第二表面上。
在本发明的一实施例中,上述的固定结构与第二表面的接触面积与第二表面的表面积的比值介于0.05至0.5。
在本发明的一实施例中,上述的固定结构连续地配置于微型发光元件的第二表面。
在本发明的一实施例中,上述的固定结构暴露出微型发光元件的部分第二表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造