[发明专利]微型发光元件结构有效
申请号: | 201710958309.5 | 申请日: | 2017-10-16 |
公开(公告)号: | CN109671671B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 林子旸;陈培欣;史诒君;陈奕静;李玉柱 | 申请(专利权)人: | 錼创显示科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L33/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光 元件 结构 | ||
一种微型发光元件结构,包括基板,至少一微型发光元件、多个固定结构以及缓冲层。微型发光元件配置于基板上。固定结构分散配置于微型发光元件的边缘,且位于基板与微型发光元件之间并直接接触基板。缓冲层配置于微型发光元件、固定结构与基板之间。
技术领域
本发明涉及一种半导体结构,尤其涉及一种微型发光元件结构。
背景技术
目前微型发光二极管的拾取与放置主要是通过静电力或磁力等超距力的方式,将载体基板上的微型发光二极管转板至接收基板上。一般来说,载体基板与微型发光二极管之间会通过胶材来暂时固定以方便运输。然而,此胶材的粘性较大,而使得微型发光二极管与胶材之间的接合力大于拾取微型发光二极管的超距力,因而导致无法顺利地从载体基板上将微型发光二极管拾取下来。如何让微型发光二极管可以暂时地固定于载体基板上,且更轻易与更有效率地从载体基板上将微型发光二极管拾取下来,已成为目前业界相当重视的课题之一。
发明内容
本发明提供一种微型发光元件结构,其可暂时地将微型发光元件固定于基板上,且能更轻易地从基板上将微型发光元件拾取下来。
本发明的微型发光元件结构,其包括基板、至少一微型发光元件、多个固定结构以及缓冲层。微型发光元件配置于基板上。固定结构分散配置于微型发光元件的边缘,且位于基板与微型发光元件之间并直接接触基板。缓冲层配置于微型发光元件、固定结构与基板之间。
在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件与固定结构的接触面积与微型发光元件于基板上的正投影面积的比值介于0.05至0.15之间。
在本发明的一实施例中,上述的固定结构相对于微型发光元件的中心处呈对称排列。
在本发明的一实施例中,上述的固定结构分别切齐于微型发光元件的边缘。
在本发明的一实施例中,上述的每一固定结构包括第一固定结构与第二固定结构,第一固定结构位于微型发光元件与基板之间,而第二固定结构位于第一固定结构的外侧,且直接接触基板与微型发光元件的侧面。
本发明的一实施例中,上述的每一固定结构的第一固定结构与第二固定结构无缝连接。
在本发明的一实施例中,上述的第二固定结构与微型发光元件的侧面的接触面积与微型发光元件的侧面的表面积的比值介于0.05至0.5之间,且第二固定结构接触微型发光元件的侧面的高度与微型发光元件的芯片高度的比值介于0.1至0.8之间。
在本发明的一实施例中,上述的缓冲层直接接触固定结构。
在本发明的一实施例中,上述的缓冲层直接接触固定结构、微型发光元件及基板,且缓冲层间具有多个空气间隙。
本发明的一实施例中,上述的缓冲层包括第一缓冲层与第二缓冲层,第一缓冲层直接接触微型发光元件,而第二缓冲层直接接触基板,且第一缓冲层与第二缓冲层之间具有空气间隙。
在本发明的一实施例中,上述的缓冲层直接接触基板,且缓冲层与微型发光元件之间具有空气间隙。
在本发明的一实施例中,上述的缓冲层直接接触微型发光元件,且缓冲层与基板之间具有空气间隙。
在本发明的一实施例中,上述的缓冲层的剖面轮廓为不规则形。
在本发明的一实施例中,上述的缓冲层直接接触基板与微型发光元件,且缓冲层设置于微型发光元件的中间,微型发光元件、基板、缓冲层以及固定结构之间具有多个空气间隙。
在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件包括二个微型发光元件,固定结构的其中一个位于微型发光元件与基板之间。
在本发明的一实施例中,上述的缓冲层的材质不同于每一固定结构的材质。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于錼创显示科技股份有限公司,未经錼创显示科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710958309.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:微元件的巨量排列方法及系统
- 下一篇:半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造