[发明专利]一种高维持电压可控硅静电防护器件在审
| 申请号： | 201710959610.8 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN107579065A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;董鹏;金湘亮;周子杰;金文江 | 申请（专利权）人： | 湖南静芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)43108 | 代理人： | 颜昌伟 |
| 地址： | 410199 湖南省长沙市经济*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 维持 电压 可控硅 静电 防护 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种高维持电压可控硅静电防护器件，其特征在于：包括P型衬底；P型衬底内从左至右设有N型深阱和P型深阱，且N型深阱和P型深阱连接在一起；所述N型深阱设有纵向排列的第一P+注入区和第一N+注入区，且第一N+注入区位于第一P+注入区正前方；所述P型深阱设有纵向排列的第二P+注入区和第二N+注入区，且第二N+注入区位于第二P+注入区正前方；所述第一P+注入区与第一N+注入区连接阳极，第二P+注入区和第二N+注入区连接阴极。
2.根据权利要求1所述的高维持电压可控硅静电防护器件，其特征在于：所述P型衬底接地。
3.根据权利要求1所述的高维持电压可控硅静电防护器件，其特征在于：当所述第一P+注入区、第一N+注入区的长度和第一P+注入区与第一N+注入区之间的间距的比值为5：2；第二P+注入区、第二N+注入区的长度和第二P+注入区与第二N+注入区之间的间距的比值为5：2时，可控硅静电防护器件的维持电压最高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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