[发明专利]熔丝烧断系统及其操作方法在审
| 申请号： | 201710963380.2 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109256163A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 许庭硕;沈志玮 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/408 | 分类号： | G11C11/408;G11C29/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔丝元件 熔丝 烧断 映射元件 实体位址 使能 动态随机存取存储器 响应提供 整合 配置 | ||
1.一种动态随机存取存储器DRAM的熔丝烧断系统，包括：
一熔丝元件；以及
一映射元件，与该熔丝元件一起整合于该DRAM中，该映射元件经配置以使能该熔丝元件并且对于该熔丝元件提供一实体位址；
其中使能的该熔丝元件仅响应提供的该实体位址，对于该DRAM的一熔丝进行一熔丝烧断操作。
2.如权利要求1所述的熔丝烧断系统，其中该映射元件另经配置以自该DRAM的一外部元件接收一信息，该信息包含该DRAM的一正常字元线的一逻辑位址，其中该正常字元线含有缺陷，以及该映射元件对于该熔丝元件提供该逻辑位址映射的该实体位址。
3.如权利要求2所述的熔丝烧断系统，其中该映射元件另经配置以自该外部元件接收一指令，该指令指示进行该熔丝烧断操作，以及该映射元件响应所接收的该指令而使能该熔丝元件。
4.如权利要求1所述的熔丝烧断系统，其中使能的该熔丝元件另经配置以当先前尚未接收所提供的该实体位址时，仅响应提供的该实体位址，对于该熔丝进行该熔丝烧断操作。
5.如权利要求1所述的熔丝烧断系统，其中使能的该熔丝元件另经配置以仅响应提供的该实体位址以及当先前已经接收所提供的该实体位址时，对于先前已经进行该熔丝烧断操作的该熔丝之外的一熔丝，进行该熔丝烧断操作。
6.如权利要求5所述的熔丝烧断系统，其中进行该熔丝烧断操作的该熔丝紧邻先前已经进行该熔丝操作的该熔丝。
7.如权利要求6所述的熔丝烧断系统，其中进行该熔丝烧断操作的该熔丝紧邻一熔丝，其紧邻先前已经进行该熔丝操作的该熔丝。
8.如权利要求1所述的熔丝烧断系统，其中该DRAM包含一第三代双倍数据速率同步动态随机存取存储器DDR3。
9.如权利要求1所述的熔丝烧断系统，其中该熔丝包含一激光可烧断的熔丝。
10.一种动态随机存取存储器DRAM的熔丝烧断系统，包括：
一熔丝元件；
一第一熔丝，可由该熔丝元件烧断；
一第二熔丝，可由该熔丝元件烧断；以及
一映射元件，与该熔丝元件一起整合于该DRAM中，该映射元件经配置以使能该熔丝元件，并且第一次对于该熔丝元件提供一实体位址；
其中使能的该熔丝元件仅响应该第一次提供的该实体位址，对于该第一熔丝进行一熔丝烧断操作，
其中当该映射元件使能该熔丝元件并且对于该熔丝元件第二次提供该实体位址时，该熔丝元件仅响应该第二次提供的该实体位址，对于该第二熔丝进行该熔丝烧断操作。
11.如权利要求10所述的熔丝烧断系统，其中该映射元件另经配置以自该DRAM的一外部元件接收一信息，该信息包含该DRAM的一正常字元线的一逻辑位址，其中该正常字元线含有缺陷，以及该映射元件对于该熔丝元件提供该逻辑位址映射的该实体位址。
12.如权利要求11所述的熔丝烧断系统，其中该映射元件另经配置以自该元件接收一指令，该指令指示进行该熔丝烧断操作，以及该映射元件响应所接收的该指令而使能该熔丝元件。
13.如权利要求10所述的熔丝烧断系统，其中该第二熔丝紧邻该第一熔丝。
14.如权利要求10所述的熔丝烧断系统，其中该第二熔丝紧邻一熔丝，该熔丝紧邻该第一熔丝。
15.如权利要求10所述的熔丝烧断系统，其中该DRAM包含一第三代双倍数据速率同步动态随机存取存储器DDR3。
16.如权利要求10所述的熔丝烧断系统，其中该熔丝包含一激光可烧断的熔丝。
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