[发明专利]熔丝烧断系统及其操作方法

说明书

本公开涉及一种动态随机存取存储器DRAM的熔丝烧断系统。该熔丝烧断系统包含一熔丝元件与一映射元件。该映射元件与该熔丝元件一起整合在该DRAM中；该映射元件经配置以使能该熔丝元件并且对于该熔丝元件提供一实体位址；其中使能的该熔丝元件仅响应提供的该实体位址，对于该DRAM的一熔丝进行一熔丝烧断操作。

技术领域

本公开涉及一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)，更特别地，本公开涉及一种DRAM的熔丝烧断系统(fuse-blowing system)。

背景技术

随着复杂制程所制成的微小化存储元件的发展，存储元件越来越容易出现各种性能限制缺陷。目前，熔丝与电熔丝(e-fuse)最常用于解决各种缺陷造成的问题，在复杂的修复方法中使用熔丝与电熔丝以解决所述问题。

上文的「现有技术」说明仅是提供背景技术，并未承认上文的「现有技术」说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的「现有技术」的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的实施例提供一种动态随机存取存储器(dynamic random accessmemory，DRAM)的熔丝烧断系统。该熔丝烧断系统包含一熔丝元件与一映射元件。该映射元件与该熔丝元件一起整合在该DRAM中；该映射元件经配置以使能该熔丝元件并且对于该熔丝元件提供一实体位址；其中使能的该熔丝元件仅响应提供的该实体位址，对于该DRAM的一熔丝进行一熔丝烧断操作。

在本公开的一些实施例中，该映射元件另经配置以自该DRAM的一外部元件接收一信息，该信息包含该DRAM的一正常字元线的一逻辑位址，其中该正常字元线含有缺陷，以及该映射元件对于该熔丝元件提供该逻辑位址映射的该实体位址。

在本公开的一些实施例中，该映射元件另经配置以自该元件接收一指令，该指令指示进行该熔丝烧断操作，以及该映射元件响应所接收的该指令而使能该熔丝元件。

在本公开的一些实施例中，若先前尚未接收所提供的该实体位址，则使能的该熔丝元件另经配置以仅响应提供的该实体位址，对于该熔丝进行该熔丝烧断操作。

在本公开的一些实施例中，若所提供的该实体位址是先前已经接收的该实体位址，则使能的该熔丝元件另经配置以仅响应提供的该实体位址以及对于先前已经进行该熔丝烧断操作的该熔丝之外的一熔丝，进行该熔丝烧断操作。

在本公开的一些实施例中，进行该熔丝烧断操作的该熔丝紧邻先前已经进行该熔丝操作的该熔丝。

在本公开的一些实施例中，进行该熔丝烧断操作的该熔丝紧邻一熔丝，其紧邻先前已经进行该熔丝操作的该熔丝。

在本公开的一些实施例中，该DRAM包含一第三代双倍数据速率同步动态随机存取存储器(double-data-rate three synchronous dynamic random access memory，DDR3)。

在本公开的一些实施例中，该熔丝包含一激光可烧断的熔丝。

本公开的一些实施例提供一种动态随机存取存储器(dynamic random accessmemory，DRAM)的熔丝烧断系统。该熔丝烧断系统包含一熔丝元件、一第一熔丝、一第二熔丝、以及一映射元件。该第一熔丝可由该熔丝元件烧断，且该第二熔丝可由该熔丝元件烧断。该映射元件与该熔丝元件一起整合于该DRAM中，该映射元件经配置以使能该熔丝元件并且第一次对于该熔丝元件提供一实体位址。使能的该熔丝元件仅响应该第一次提供的该实体位址，对于该第一熔丝进行一熔丝烧断操作。当该映射元件使能该熔丝元件并且对于该熔丝元件第二次提供该实体位址时，使能的该熔丝元件仅响应该第二次提供的该实体位址，对于该第二熔丝进行该熔丝烧断操作。