[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

第一有源半导体区，安置于衬底中的半导体结构的第一垂直水平面中；

第二有源半导体区，安置于所述衬底中的所述第一垂直水平面中，所述第二有源半导体区与所述第一有源半导体区在第一方向上间隔开一距离；

栅极，形成在所述衬底之上；

第一导电结构，整个安置于与所述第一垂直水平面相邻的第二垂直水平面中，其中所述第二垂直水平面为所述半导体结构的一单层，所述第一导电结构沿所述第一方向延伸为位于所述第一有源半导体区与所述第二有源半导体区上的一单件且将所述第一有源半导体区电耦接至所述第二有源半导体区；

第一晶体管的第一源极区与第一漏极区，形成于在所述栅极的相对两侧上的所述第一有源半导体区中；以及

第二晶体管的第二源极区与第二漏极区，形成于在所述栅极的相对两侧上所述第二有源半导体区中，其中所述第一导电结构将所述第一晶体管的所述第一源极区或所述第一漏极区电耦接至所述第二晶体管的所述第二源极区或所述第二漏极区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电结构接触所述第一有源半导体区及所述第二有源半导体区。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二垂直水平面位于所述第一垂直水平面上方。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一有源半导体区与所述第二有源半导体区是在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的平行有源半导体区。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括：

第一介层孔，接触安置于所述第一有源半导体区上方的所述第一导电结构的第一部分，所述第一介层孔安置于位于所述第二垂直水平面上方的第三垂直水平面中；以及

第二导电结构，接触所述第一介层孔，所述第二导电结构安置于位于所述第三垂直水平面上方的第四垂直水平面中。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括：

第二介层孔，接触安置于所述第二有源半导体区上方的所述第一导电结构的第二部分，所述第二介层孔安置于所述第三垂直水平面中；以及

第三导电结构，接触所述第二介层孔，所述第三导电结构安置于所述第四垂直水平面中。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电结构具有比所述距离长或与所述距离相等的长度。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电结构包括金属线。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极为单件。

10.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在半导体结构的第一垂直水平面中形成第一有源半导体区；

在所述第一垂直水平面中形成第二有源半导体区，所述第二有源半导体区与所述第一有源半导体区在第一方向上间隔开一距离；以及

在与所述第一垂直水平面相邻的第二垂直水平面中形成第一导电结构，所述第一导电结构沿所述第一方向延伸为位于所述第一有源半导体区与所述第二有源半导体区上的一单件并接触所述第一有源半导体区及所述第二有源半导体区。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一导电结构将所述第一有源半导体区电耦接至所述第二有源半导体区。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二垂直水平面位于所述第一垂直水平面上方。