[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明实施例提供半导体结构及形成半导体结构的方法。第一有源半导体区安置于所述半导体结构的第一垂直水平面中。第二有源半导体区安置于所述第一垂直水平面中，其中所述第二有源半导体区与所述第一有源半导体区在第一方向上间隔开一距离。第一导电结构安置于与所述第一垂直水平面相邻的第二垂直水平面中。所述第一导电结构沿所述第一方向延伸且将所述第一有源半导体区电耦接至所述第二有源半导体区。

技术领域

本发明实施例是涉及一种半导体结构。

背景技术

集成电路(Integrated circuit，IC)经常与被例如金属线及多晶硅线等导电迹线连接的装置(例如，晶体管、电阻器、电容器等)一起进行设计，以形成电路。集成电路中的装置通过光刻工艺而形成，所述光刻工艺包括使用光致抗蚀剂、光刻掩模、专业光源、以及各种蚀刻剂。

发明内容

根据本发明的实施例，半导体结构包括安置于所述半导体结构的第一垂直水平面中的第一有源半导体区。所述半导体结构也包括安置于所述第一垂直水平面中的第二有源半导体区，其中所述第二有源半导体区与所述第一有源半导体区在第一方向上间隔开一距离。所述半导体结构还包括安置于与所述第一垂直水平面相邻的第二垂直水平面中的第一导电结构。所述第一导电结构沿所述第一方向延伸且将所述第一有源半导体区电耦接至所述第二有源半导体区。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明实施例的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A说明根据一些实施例的半导体结构的俯视图。

图1B说明根据一些实施例的图1A所示的半导体结构的剖视图。

图1C及图1D说明根据一些实施例的图1A及图1B所示的半导体结构的信号传输路径。

图1E、图1F、及图1G说明根据一些实施例的半导体结构的俯视图。

图2A至图2E说明根据一些实施例的其中导电结构用以在各晶体管之间提供电耦接的例子。

图3A及图3B说明根据一些实施例的在各标准存储单元(cell)之间形成电连接中使用的导电结构。

图4是绘示根据一些实施例的形成半导体结构的示例性方法的操作的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或例子。以下阐述组件及排列的具体例子以简化本公开内容。当然，这些仅为例子且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成于第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中所述第一特征与所述第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种例子中重复参考编号及/或字母。这种重复是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，为易于说明，本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下部的(lower)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个存储单元或特征与另一(其他)存储单元或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。结构可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。