[发明专利]一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置

权利要求书

1.一种OLED显示面板，包括衬底层，其特征在于，所述衬底层上依次形成有阵列基板行驱动GOA电路、绝缘层、薄膜晶体管TFT阵列和OLED器件，其中，所述绝缘层上与所述GOA电路对应的位置设置有贯穿的第一过孔，所述GOA电路通过所述第一过孔与所述TFT阵列的金属引线连接。

2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述GOA电路邻近所述OLED显示面板的周边区域。

3.如权利要求1或2所述的OLED显示面板，其特征在于，还包括用于吸收激光能量的遮光层，所述遮光层位于所述衬底层和所述绝缘层之间，以及所述衬底层和所述GOA电路之间。

4.如权利要求3所述的OLED显示面板，其特征在于，所述遮光层的材料为非晶硅或氧化铟锡。

5.如权利要求3所述的OLED显示面板，其特征在于，还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层位于所述衬底层和所述遮光层之间；和/或，

所述OLED显示面板还包括第二缓冲层，所述第二缓冲层位于所述绝缘层和所述TFT阵列之间，所述第二缓冲层上与所述第一过孔相对应的位置设置有贯穿的第二过孔，所述GOA电路通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述TFT阵列的金属引线连接。

6.一种OLED显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述OLED显示面板。

7.一种OLED显示面板制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上依次形成衬底层、阵列基板行驱动GOA电路和绝缘层；

通过构图工艺在所述绝缘层上与所述GOA电路对应的位置形成贯穿的第一过孔；

在所述绝缘层上形成薄膜晶体管TFT阵列，并使所述TFT阵列的金属引线通过所述第一过孔与所述GOA电路连接；

在形成有所述TFT阵列的衬底基板上形成OLED器件。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成衬底层之后、形成所述GOA电路之前，所述方法还包括：

在形成有所述衬底层的衬底基板上形成用于吸收激光能量的遮光层；

所述形成所述GOA电路，具体包括：

在所述遮光层上形成所述GOA电路，所述遮光层位于所述衬底层和所述绝缘层之间，以及所述衬底层和所述GOA电路之间。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述衬底层的衬底基板上形成用于吸收激光能量的遮光层之前、所述在衬底基板上形成衬底层之后，所述方法还包括：在形成有所述衬底层的衬底基板上形成第一缓冲层；

所述在形成有所述衬底层的衬底基板上形成用于吸收激光能量的遮光层，具体包括：在所述第一缓冲层上形成用于吸收激光能量的遮光层；和/或，

所述在衬底基板上形成绝缘层之后、通过构图工艺在所述绝缘层上形成贯穿的第一过孔之前，所述方法还包括：

在所述绝缘层上形成第二缓冲层，并通过构图工艺在所述第二缓冲层上形成贯穿的第二过孔；

所述在所述绝缘层上形成薄膜晶体管TFT阵列，并使所述TFT阵列的金属引线通过所述第一过孔与所述GOA电路连接，具体包括：

在所述第二缓冲层上形成所述TFT阵列，以使所述TFT阵列的金属引线通过所述第二过孔和所述第一过孔与所述GOA电路连接。

10.如权利要求7-9任一项所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述TFT阵列的衬底基板上形成OLED器件之后，所述方法还包括：

利用激光照射所述衬底基板，以使所述衬底基板与所述衬底层分离；

移除所述衬底基板。