[发明专利]一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)器件由于其具有的全固态结构、高亮度、全视角、响应速度快、工作温度范围宽、可实现柔性显示等一系列优点，目前已经成为极具竞争力和发展前景的下一代显示技术。

现有的OLED显示面板中，如图1所示，图中虚线为OLED显示面板的外框101，GOA(Gate Driver on Array，阵列基板行驱动)电路102位于周边区域103，TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列位于AA区域104，GOA电路102与TFT的金属引线同层设置。这样，周边区域103(对应OLED显示面板的边框)必须覆盖GOA电路102，因此边框的宽度d1较大，不能适应当前窄边框的发展趋势。相应的，因为边框的存在，AA区域104的所占的显示面积比例减小，影响显示效果。

因此亟需一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置以解决上述问题。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述不足，提供一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置，用以至少部分解决AA区域小，难以实现窄边框的问题。

本发明为解决上述技术问题，采用如下技术方案：

本发明提供一种OLED显示面板，包括衬底层，所述衬底层上依次形成有阵列基板行驱动GOA电路、绝缘层、薄膜晶体管TFT阵列和OLED器件，其中，所述绝缘层上与所述GOA电路对应的位置设置有贯穿的第一过孔，所述GOA电路通过所述第一过孔与所述TFT阵列的金属引线连接。

优选的，所述GOA电路邻近所述OLED显示面板的周边区域。

进一步的，所述OLED显示面板还包括用于吸收激光能量的遮光层，所述遮光层位于所述衬底层和所述绝缘层之间，以及所述衬底层和所述GOA电路之间。

优选的，所述遮光层的材料为非晶硅或氧化铟锡。

进一步的，所述OLED显示面板还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层位于所述衬底层和所述遮光层之间；和/或，

所述OLED显示面板还包括第二缓冲层，所述第二缓冲层位于所述绝缘层和所述TFT阵列之间，所述第二缓冲层上与所述第一过孔相对应的位置设置有贯穿的第二过孔，所述GOA电路通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述TFT阵列的金属引线连接。

本发明还提供一种OLED显示装置，包括如前所述OLED显示面板。

本发明还提供一种OLED显示面板的制备方法，所述方法包括：

在衬底基板上依次形成衬底层、阵列基板行驱动GOA电路和绝缘层；

通过构图工艺在所述绝缘层上与所述GOA电路对应的位置形成贯穿的第一过孔；

在所述绝缘层上形成薄膜晶体管TFT阵列，并使所述TFT阵列的金属引线通过所述第一过孔与所述GOA电路连接；

在形成有所述TFT阵列的衬底基板上形成OLED器件。

进一步的，所述在衬底基板上形成衬底层之后、形成所述GOA电路之前，所述方法还包括：

在形成有所述衬底层的衬底基板上形成用于吸收激光能量的遮光层；

所述形成所述GOA电路，具体包括：

在所述遮光层上形成所述GOA电路，所述遮光层位于所述衬底层和所述绝缘层之间，以及所述衬底层和所述GOA电路之间。

进一步的，所述在形成有所述衬底层的衬底基板上形成用于吸收激光能量的遮光层之前、所述在衬底基板上形成衬底层之后，所述方法还包括：在形成有所述衬底层的衬底基板上形成第一缓冲层；

所述在形成有所述衬底层的衬底基板上形成用于吸收激光能量的遮光层，具体包括：在所述第一缓冲层上形成用于吸收激光能量的遮光层；和/或，

所述在衬底基板上形成绝缘层之后、通过构图工艺在所述绝缘层上形成贯穿的第一过孔之前，所述方法还包括：

在所述绝缘层上形成第二缓冲层，并通过构图工艺在所述第二缓冲层上形成贯穿的第二过孔；

所述在所述绝缘层上形成薄膜晶体管TFT阵列，并使所述TFT阵列的金属引线通过所述第一过孔与所述GOA电路连接，具体包括：

在所述第二缓冲层上形成所述TFT阵列，以使所述TFT阵列的金属引线通过所述第二过孔和所述第一过孔与所述GOA电路连接。