[发明专利]旋转锗片/硅片碱腐蚀工艺及其专用设备

权利要求书

1.一种旋转锗片/硅片碱腐蚀专用设备，设有横梁(5)，其特征在于：所述的横梁(5)下方设有：

搅拌机构：所述的横梁(5)下方垂直设有转轴(6)和反应槽(12)，所述的转轴(6)游离端连接转头(7)；所述的转头(7)为柱状，沿着其轴向延伸方向依次设有若干连接孔(8)，所述的连接孔(8)可拆卸设有支撑杆(9)，支撑杆(9)为L型，游离端向下伸入反应槽(12)内，并且通过连接柱(10)连接承载器(11)；

升降机构：所述的横梁下方(5)垂直设置升降杆(2)，所述的升降杆(2)下方连接升降立柱(1)，立柱(1)底部设有用于支承的基底(13)。

2.如权利要求1所述的旋转锗片/硅片碱腐蚀专用设备，其特征在于：所述的承载器设有承载器盖子(11-a)和承载器基底(11-b)，所述的承载器盖子(11-a)和承载器基底(11-b)之间通过若干支撑立柱(11-c)连接，所述的承载器盖子(11-a)顶部设有孔(11-d)，用于与连接柱(10)相连。

3.如权利要求1所述的旋转锗片/硅片碱腐蚀专用设备，其特征在于：所述的连接孔(8)分行与列排列，同行的连接孔(8)圆心在同一圆周线上，同列的连接孔(8)圆心在同一高线上。

4.如权利要求1所述的旋转锗片/硅片碱腐蚀专用设备，其特征在于：所述的升降杆(2)和转轴(6)平行设置，用于控制转轴(6)的升降，且升降杆(2)和升降立柱(1)之间设有安全限位杆(4)。

5.如权利要求1所述的旋转锗片/硅片碱腐蚀专用设备，其特征在于：所述的转轴(6)通过驱动电机(3)驱动。

6.一种使用权利要求1-5中的专用设备进行旋转锗片/硅片碱腐蚀的工艺，其特征在于：包括如下步骤：

1)首先将升降杆升高到一定高度，预留出安装支撑杆(9)和承载器(11)的空间；

2)将支撑杆(9)通过连接孔(8)安装在转头(6)上；

3)然后在反应槽(12)中配制碱腐蚀液，将装有研磨片的清洗花篮放入承载器(11)中，再将承载器(11)安装在支撑杆(9)上；

4)最后下降晶片清洗花篮浸入碱腐蚀溶液中，同时转轴开始工作，旋转速度设定为1转/分钟至10转/秒，旋转碱腐蚀1分钟至10分钟后，提升转轴，冲洗晶片30秒至180秒；

5)取下承载器，对锗片/硅片进行清洗、甩干、送检验。

7.如权利要求6中所述的旋转锗片/硅片碱腐蚀的工艺，其特征在于：所述的步骤3)中，碱腐蚀液由溶质，氧化剂和助剂组成，所述的溶质占碱腐蚀液的重量百分比范围为1％～29.99％，氧化剂所占碱腐蚀液的重量百分比范围为0～15％；助剂所占碱腐蚀液的重量百分比范围为0～15％。

8.如权利要求7所述的旋转锗片/硅片碱腐蚀的工艺，其特征在于：所述的溶质为NaOH或KOH，所述的氧化剂为H₂O₂或NaClO₃，所述的助剂为异丙醇或乙醇或丙酮。