[发明专利]干刻机台在审
| 申请号： | 201710966357.9 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107622964A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 阚保国;刘家桦;栾剑峰 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 徐文欣,吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 机台 | ||
1.一种干刻机台，其特征在于，包括：
反应腔体，所述反应腔体具有腔底板，所述腔底板包括中心区域和包围中心区域的边缘区域，所述中心区域包括第一中心区和包围第一中心区的第二中心区，第一中心区具有贯穿腔底板的第一排气孔，边缘区域具有贯穿腔底板的若干第二排气孔；
位于所述反应腔体中相互分立的若干晶圆载台，若干晶圆载台位于腔底板第二中心区上且位于第一排气孔周围；
第一排气管，第一排气管通过第一排气孔与所述反应腔体内连通；
若干第二排气管，第二排气管分别通过第二排气孔与所述反应腔体内连通；
排气泵，第一排气管和第二排气管与所述排气泵连接。
2.根据权利要求1所述的干刻机台，其特征在于，所述边缘区域呈圆环形或椭圆环形；所述第二排气孔沿所述边缘区域的周向平均分布。
3.根据权利要求1所述的干刻机台，其特征在于，所述第二排气孔的数量为2个～5个。
4.根据权利要求1所述的干刻机台，其特征在于，所述第二排气孔的孔径和第一排气孔孔径的比值为1～1.2。
5.根据权利要求4所述的干刻机台，其特征在于，所述第二排气孔的孔径为50mm～150mm；所述第一排气孔的孔径为50mm～150mm。
6.根据权利要求1所述的干刻机台，其特征在于，所述第一排气孔位于所述腔底板的中心且位于第一中心区的中心。
7.根据权利要求1所述的干刻机台，其特征在于，所述第二中心区呈圆环形或椭圆环形；所述若干晶圆载台沿所述第二中心区的周向平均分布。
8.根据权利要求7所述的干刻机台，其特征在于，所述若干晶圆载台的数量和若干第二排气孔的数量相同；所述晶圆载台位于第二排气孔与第一排气孔之间的第二中心区上。
9.根据权利要求1所述的干刻机台，其特征在于，所述排气泵为分子泵或干泵。
10.一种干刻机台，其特征在于，包括：
反应腔体，所述反应腔体具有腔底板，所述腔底板包括第一区和包围第一区的第二区，第一区具有贯穿腔底板的第一排气孔；
位于所述反应腔体中相互分立的若干晶圆载台，若干晶圆载台位于腔底板第二区上且位于第一排气孔周围；
贯穿腔底板第二区的若干第二排气孔，且第二排气孔分别位于各晶圆载台周围；
第一排气管，第一排气管通过第一排气孔与所述反应腔体内连通；
若干第二排气管，第二排气管分别通过第二排气孔与所述反应腔体内连通；
排气泵，第一排气管和第二排气管与所述排气泵连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
