[发明专利]干刻机台

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种干刻机台。

背景技术

刻蚀是半导体制造工艺中一种重要的工艺步骤。广义上讲，刻蚀为通过溶液、反应离子或其它机械方法剥离、去除材料的一种统称。刻蚀通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀。其中，干法刻蚀选择比高，可控性、灵活性、重复性好，易实现自动化，无化学废液产生。

干法刻蚀是在干法刻蚀机台的反应腔室内进行的。在进行干刻的过程中，需要将刻蚀气体通入反应腔室中，反应气体和待刻蚀材料反应后的副产物通过和腔室连接的管道排出。

然而，现有技术的干刻机台腔室环境的稳定性较差，干法刻蚀的刻蚀均匀性较差。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种干刻机台，以提高干刻机台腔室环境的稳定性和刻蚀均匀性。

为解决上述问题，本发明提供一种干刻机台，包括：反应腔体，所述反应腔体具有腔底板，所述腔底板包括中心区域和包围中心区域的边缘区域，所述中心区域包括第一中心区和包围第一中心区的第二中心区，第一中心区具有贯穿腔底板的第一排气孔，边缘区域具有贯穿腔底板的若干第二排气孔；位于所述反应腔体中相互分立的若干晶圆载台，若干晶圆载台位于腔底板第二中心区上且位于第一排气孔周围；第一排气管，第一排气管通过第一排气孔与所述反应腔体内连通；若干第二排气管，第二排气管分别通过第二排气孔与所述反应腔体内连通；排气泵，第一排气管和第二排气管与所述排气泵连接。

可选的，所述边缘区域呈圆环形或椭圆环形；所述第二排气孔沿所述边缘区域的周向平均分布。

可选的，所述第二排气孔的数量为2个～5个。

可选的，所述第二排气孔的孔径和第一排气孔孔径的比值为1～1.2。

可选的，所述第二排气孔的孔径为50mm～150mm；所述第一排气孔的孔径为50mm～150mm。

可选的，所述第一排气孔位于所述腔底板的中心且位于第一中心区的中心。

可选的，所述第二中心区呈圆环形或椭圆环形；所述若干晶圆载台沿所述第二中心区的周向平均分布。

可选的，所述若干晶圆载台的数量和若干第二排气孔的数量相同；所述晶圆载台位于第二排气孔与第一排气孔之间的第二中心区上。

可选的，所述排气泵为分子泵或干泵。

本发明还提供一种干刻机台，包括：反应腔体，所述反应腔体具有腔底板，所述腔底板包括第一区和包围第一区的第二区，第一区具有贯穿腔底板的第一排气孔；位于所述反应腔体中相互分立的若干晶圆载台，若干晶圆载台位于腔底板第二区上且位于第一排气孔周围；贯穿腔底板第二区的若干第二排气孔，且第二排气孔分别位于各晶圆载台周围；第一排气管，第一排气管通过第一排气孔与所述反应腔体内连通；若干第二排气管，第二排气管分别通过第二排气孔与所述反应腔体内连通；排气泵，第一排气管和第二排气管与所述排气泵连接。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明技术方案提供的干刻机台中，不仅在腔底板第一中心区具有贯穿腔底板的第一排气孔，还在腔底板边缘区域具有贯穿腔底板的若干第二排气孔，因此使每个晶圆载台的周围能够具有多个排气孔。在干刻机台工作过程中，不仅能够将反应腔体中分布在中心区域上的副产气体及时排出，也能够将反应腔体中分布在边缘区域上的副产气体及时排出，避免边缘区域堆积较多的副产气体，因此提高了反应腔体中副产气体分布的均匀性，反应腔体的环境较为稳定，相应的，能够提高刻蚀均匀性。

本发明技术方案提供的干刻机台中，不仅在腔底板第一区具有贯穿腔底板的第一排气孔，还在腔底板第二区具有贯穿腔底板的若干第二排气孔，第二排气孔分别位于各晶圆载台周围。因此使每个晶圆载台的周围能够具有多个排气孔。在干刻机台工作过程中，不仅能够将反应腔体中分布在第一区上的副产气体及时排出，也能够将反应腔体中分布在第二区上的副产气体及时排出，避免第二区堆积较多的副产气体，因此提高了反应腔体中副产气体分布的均匀性，反应腔体的环境较为稳定，相应的，能够提高刻蚀均匀性。

附图说明

图1是一种干刻机台的结构示意图；

图2是本发明一实施例中干刻机台的结构示意图；

图3为图2中第一排气孔和第二排气孔在腔底板中的一种分布示意图；

图4为图2中第一排气孔和第二排气孔在腔底板中的另一种分布示意图；

图5为本发明另一实施例中干刻机台的结构示意图；

图6为图5中第一排气孔和第二排气孔在腔底板中的分布示意图。

具体实施方式