[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

层叠件；

沟道层，所述沟道层中的每一个沟道层包括穿过所述层叠件的沟道图案、穿过所述层叠件的虚拟沟道图案以及设置在所述层叠件下方并将所述沟道图案与所述虚拟沟道图案电联接的联接图案；

位线，所述位线与所述沟道图案联接；以及

阱拾取线，所述阱拾取线与所述虚拟沟道图案联接，

其中，在擦除操作期间，所述阱拾取线通过所述虚拟沟道图案和所述联接图案将擦除电压施加到所述沟道图案。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

间隙填充绝缘层，所述间隙填充绝缘层包括设置在所述层叠件下方的基部、从所述基部突出并穿过所述沟道图案的第一突出物以及从所述基部突出并穿过所述虚拟沟道图案的第二突出物。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述基部形成在所述联接图案内。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

源极层，所述源极层设置在所述联接图案下方；以及

源极拾取线，所述源极拾取线穿过所述层叠件，并且将所述沟道层与所述源极层电联接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述联接图案与所述源极拾取线直接接触，并且包括形成在与所述源极拾取线直接接触的区域中的结。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述结掺杂有N型杂质。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

间隔件，所述间隔件设置在所述源极拾取线与所述层叠件之间，并且被配置为使所述源极拾取线与所述层叠件绝缘。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述源极层包括：

金属层；

第一多晶硅层，所述第一多晶硅层设置在所述金属层上，并且包括第一浓度的N型杂质；以及

第二多晶硅层，所述第二多晶硅层设置在所述第一多晶硅层上，并且包括比所述第一浓度小的第二浓度的N型杂质。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

第一焊盘，所述第一焊盘将所述沟道图案与所述位线电联接，所述第一焊盘中的每一个第一焊盘包括第一类型杂质；以及

第二焊盘，所述第二焊盘将所述虚拟沟道图案与所述阱拾取线电联接，所述第二焊盘中的每一个第二焊盘包括与所述第一类型杂质不同的第二类型杂质。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

支承件，所述支承件插置在所述沟道层的所述联接图案之间并支承所述层叠件。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

源极层，所述源极层设置在所述联接图案和所述支承件下方。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述支承件设置在所述沟道图案之间，并且具有在一个方向上彼此基本平行延伸的线形状。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述支承件设置在所述沟道图案之间并且具有柱形状。

14.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述支承件中的每一个支承件被设置成与对应的相邻沟道图案部分地交叠。

15.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述沟道图案沿一个方向布置并且被设置为其间具有第一距离或第二距离，所述第二距离大于所述第一距离，并且所述支承件设置在被布置为其间具有第二距离的所述沟道图案之间。