[发明专利]形成垂直互连结构的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在所述半导体管芯周围沉积密封剂；

在所述半导体管芯的覆盖区外部以及在所述密封剂的第一表面上方形成包括多个导电微通孔的导电微通孔阵列，每个导电微通孔均从公共基底层延伸；和

形成从与所述密封剂的第一表面相对的所述密封剂的第二表面在所述半导体管芯的覆盖区外部穿过密封剂并延伸到所述导电微通孔阵列的第一穿模孔，其中所述公共基底层是在所述半导体管芯和所述密封剂下方。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述导电微通孔阵列包括：

在所述半导体管芯和所述密封剂上方形成绝缘层；

形成穿过所述绝缘层且在所述半导体管芯的所述覆盖区外部的微通孔阵列；和

在绝缘层上方并在所述微通孔阵列中形成导电层以形成导电微通孔阵列。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括形成包括所述导电微通孔阵列的导电环。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一穿模孔包括：

形成第二穿模孔，所述第二穿模孔部分地穿过所述密封剂到所述密封剂的凹陷表面；和

在所述第二穿模孔的覆盖区内形成穿过所述密封剂的第三穿模孔，第三穿模孔具有小于所述第二穿模孔的横截面宽度的横截面宽度并且从所述密封剂的凹陷表面延伸到所述导电微通孔阵列。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述半导体管芯上方形成堆积互连结构。

6.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在所述半导体管芯周围沉积密封剂；和

在密封剂的第一表面上方并且在半导体管芯的覆盖区之外形成导电微通孔阵列，该导电微通孔阵列包括从公共基底层延伸的多个导电通孔；以及

形成从与所述密封剂的第一表面相对的所述密封剂的第二表面穿过密封剂并延伸到所述导电微通孔阵列的第一穿模孔，该第一穿模孔包括台阶穿孔结构，其中所述公共基底层是在所述半导体管芯和所述密封剂下方。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括形成包括所述导电微通孔阵列的导电环。

8.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述第一穿模孔包括：

形成第二穿模孔，所述第二穿模孔部分地穿过所述密封剂到所述密封剂的凹陷表面；和

在所述第二穿模孔的覆盖区内并且穿过所述密封剂形成第三穿模孔，第三穿模孔包括小于所述第二穿模孔的横截面宽度的横截面宽度并且从所述密封剂的凹陷表面延伸到所述导电微通孔阵列。

9.根据权利要求6所述的方法，还包括在所述第一穿模孔内形成导电互连结构。

10.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在所述密封剂和所述半导体管芯上方形成绝缘层；

形成穿过所述绝缘层且在所述半导体管芯的所述覆盖区外部的微通孔阵列；和

在绝缘层上方并在所述微通孔阵列中形成导电层以形成导电微通孔阵列。

11.一种半导体器件，包括：

半导体管芯；

在所述半导体管芯周围形成的密封剂；

在所述半导体管芯和密封剂上方形成的绝缘层；和

穿过所述密封剂的第一表面上方的所述绝缘层并在所述半导体管芯的覆盖区外部形成的、包括多个导电微通孔的导电微通孔阵列，每个导电微通孔均从公共基底层延伸；以及

从与所述密封剂的第一表面相对的所述密封剂的第二表面穿过密封剂并延伸到所述导电微通孔阵列形成的台阶穿孔结构，其中所述公共基底层是在所述半导体管芯和所述密封剂下方。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括在所述导电微通孔阵列上方形成的并且包括包含玻璃纤维或玻璃织物的聚合物复合材料的第二绝缘层。