[发明专利]一种晶圆洗边系统和晶圆洗边方法有效

专利信息
申请号: 201710970284.0 申请日: 2017-10-16
公开(公告)号: CN109669321B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 吴健健;徐萍 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/02
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶圆洗边 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种晶圆洗边系统,其特征在于,所述系统包括:

晶圆承载系统,所述晶圆承载系统用于水平承载待洗边晶圆,所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层;

光刻系统,所述光刻系统设置在所述待洗边晶圆上方,所光刻系统具有可调节的曝光区域;以及

控制模块,所述控制模块配置为对所述光刻系统进行调整,以使所述光刻系统对所述待洗边晶圆上的待洗边芯片裸片进行逐个曝光,以去除所述待洗边芯片裸片上的所述光刻胶掩膜层。

2.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述控制模块对所述光刻系统进行调整的步骤包括:

获取所述待洗边晶圆上芯片裸片尺寸,基于所述芯片裸片尺寸设定所述光刻系统的曝光区域;

将所述曝光区域对准所述待洗边芯片裸片,以使所述光刻系统对所述待洗边芯片进行逐个曝光。

3.如权利要求2所述的系统,其特征在于,所述控制模块对所述光刻系统进行调整的步骤还包括:

获取所述待洗边晶圆的芯片检测结果,并基于所述检测结果结合晶圆形状获取晶圆图,其中所述晶圆图上显示根据所述芯片检测结果指示的所述待洗边芯片;

基于所述芯片裸片尺寸确定所述待洗边芯片裸片在所述晶圆图上的位置坐标;

基于所述位置坐标变换所述光刻系统和所述晶圆的相对位置,以使所述光刻系统对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。

4.如权利要求2所述的系统,其特征在于,所述控制模块还配置为对所述晶圆承载系统进行调整,以使所述晶圆承载系统带动所述待洗边晶圆旋转,从而使所述光刻系统对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。

5.如权利要求4所述的系统,其特征在于,所述控制模块对所述晶圆承载系统进行调整的步骤包括:

获取待洗边晶圆上的芯片裸片尺寸;

根据所述芯片裸片尺寸确定待洗边晶圆转动角度;

基于所述转动角度调整所述晶圆承载系统转动,以使所述待洗边晶圆相对所述光刻系统转动,从而使所述光刻系统对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。

6.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述晶圆承载系统包括用以水平承载晶圆的晶圆载台和用以驱动所述晶圆载台、带动所述待洗边晶圆旋转的驱动装置。

7.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述晶圆洗边系统还包括零标记校准系统,所述 零标记校准系统用于将所光刻系统的光刻区域精确对准所述待洗边晶圆上的一个待洗边芯片裸片。

8.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述晶圆洗边系统包括水平校准系统,所述水平校准系统用于校准所述待洗边晶圆的水平位置以使所述待洗边晶圆保持水平。

9.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述光刻系统包括从上到下依次设置的光源系统、掩膜版系统、以及棱镜组。

10.如权利要求9所述的系统,其特征在于,所述掩膜版系统包括掩膜版,所述 掩膜版根据所述待洗边晶圆的芯片裸片尺寸确定曝光区域。

11.一种晶圆洗边的方法,其特征在于,所述方法包括:

提供待洗边晶圆,所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层;

获取所述待洗边晶圆的待洗边芯片裸片,对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光,以去除所述待洗边芯片裸片上的所述光刻胶掩膜层。

12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光的过程中,保持所述待洗边晶圆旋转。

13.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述提供所述待洗边晶圆的步骤包括:

提供半导体晶圆,在所述半导体晶圆表面覆盖一层光刻胶掩膜层;

对所述光刻胶掩膜层进行曝光,以获得所述待洗边晶圆。

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