[发明专利]一种晶圆洗边系统和晶圆洗边方法

说明书

本发明提供一种晶圆洗边系统和晶圆洗边方法，所述系统包括：晶圆承载系统，所述晶圆承载系统用于水平承载待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层；光刻系统，所述光刻系统设置在所述待洗边晶圆上方，所光刻系统具有可调节的曝光区域；以及控制模块，所述控制模块配置为对所述光刻系统进行调整，以使所述光刻系统对所述待洗边晶圆上的待洗边芯片裸片进行逐个曝光。根据本发明的晶圆洗边系统和晶圆洗边方法可以精确曝光晶圆边缘损坏的、不完整的芯片裸片，解决传统洗边工艺带来的部分芯片裸片缺陷，提升芯片良率和生产的稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体而言涉及一种晶圆洗边系统和晶圆洗边方法。

背景技术

在集成电路制造工艺中要进行多次光刻步骤，光刻质量的好坏直接影响产品的合格率。一般的光刻工艺要经历晶圆表面清洗烘干、涂底、涂胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。在晶圆的涂胶过程中，由于旋转产生的离心力的作用，使得晶圆上的光刻胶逐渐向晶圆边缘散布，导致光刻胶累积在晶圆的边缘形成突起残留，进而导致后续工艺的污染状况。为了去除累积于晶圆边缘的光刻胶残留，通常在涂胶工艺后加入洗边(Edge Bean Removal，EBR)工艺，也称作边缘球状物去除工艺、边胶去除工艺，以去除晶圆边缘的光刻胶残留。

随着制程越来越复杂，半导体器件关键尺寸越来越小，由传统洗边造成小尺寸缺陷对器件良率和器件稳定性影响越来越大。传统洗边产生的部分芯片裸片(Partial Die)和部分芯片图形(Partial Pattern)，是后续工艺产生缺陷的来源。现在没有解决由此缺陷的工艺或者制程。

当前工艺，只能通过修改洗边的CD，来减少因为传统洗边带来的缺陷影响，但无法根除。业界也有通过CMP的方式研磨掉部分芯片图形(Partial Pattern)，但对于部分芯片裸片(Partial Die)则无能为力。

为此，本发明提供了一种新的晶圆洗边系统和晶圆洗边方法，用以解决现有技术中的问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种晶圆洗边系统，所述系统包括：

晶圆承载系统，所述晶圆承载系统用于水平承载待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层；

光刻系统，所述光刻系统设置在所述待洗边晶圆上方，所光刻系统具有可调节的曝光区域；以及

控制模块，所述控制模块配置为对所述光刻系统进行调整，以使所述光刻系统对所述待洗边晶圆上的待洗边芯片裸片进行逐个曝光。

示例性的，所述控制模块对所述光刻系统进行调整的步骤包括：

获取所述待洗边晶圆上芯片裸片尺寸，基于所述芯片裸片尺寸设定所述光刻系统的曝光区域；

将所述曝光区域对准所述待洗边芯片裸片，以使所述光刻系统对所述待洗边芯片进行逐个曝光。

示例性的，所述控制模块对所述光刻系统进行调整的步骤还包括：

获取所述待洗边晶圆的芯片检测结果，并基于所述检测结果结合晶圆形状获取晶圆图，其中所述晶圆图上显示根据所述芯片检测结果指示的所述待洗边芯片；

基于所述芯片裸片尺寸确定所述待洗边芯片裸片在所述晶圆图上的位置坐标；

基于所述位置坐标变换所述光刻系统和所述晶圆的相对位置，以使所述光刻系统对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。