[发明专利]一种显示器件及OLED显示面板在审

专利信息
申请号: 201710970745.4 申请日: 2017-10-18
公开(公告)号: CN107910347A 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 方俊雄;吴元均 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示 器件 oled 面板
【权利要求书】:

1.一种显示器件,其特征在于,所述显示器件包括:

衬底基板;

第一缓冲层,形成于所述衬底基板上;

层间绝缘层,形成于所述第一缓冲层上;

第一金属层,形成所述层间绝缘层表面,其中,所述第一金属层为构成所述显示器件的存储电容的第一电极;

至少一无机膜层,形成于所述第一金属层表面;

导电层,形成于所述无机膜层表面;

第二金属层,形成于所述导电层表面,其中,所述第二金属层为构成所述存储电容的第二电极。

2.根据权利要求1所述的显示器件,其特征在于,所述存储电容是通过对所述第一金属层对应的像素定义层、平坦层进行图案化处理以形成开口,并沉积所述导电层以及所述第二金属层来形成的。

3.根据权利要求2所述的显示器件,其特征在于,所述显示器件还包括:

OLED显示层;

所述第一金属层为薄膜晶体管切换区中的部分源漏极金属层,所述无机膜层为钝化层,所述导电层为所述OLED显示层中的电子传输功能层,所述第二金属层为所述OLED层中的阴极层。

4.根据权利要求1所述的显示器件,其特征在于,所述存储电容是通过对部分所述第一金属层对应的所述钝化层、所述平坦层进行图案化处理以形成开口,以露出所述第一金属层,沉积无机像素定义层以及所述像素定义层,剥离所述开口所对应的像素定义层,并沉积所述导电层以及所述第二金属层来形成的。

5.根据权利要求4所述的显示器件,其特征在于,所述第一金属层为薄膜晶体管层中的源漏极金属层,所述无机膜层为所述无机像素定义层,所述导电层为OLED显示层中的电子传输层,所述第二金属层为所述OLED层中的阴极层。

6.一种OLED显示面板,所述OLED显示面板包括显示器件、薄膜晶体管层,其特征在于,所述显示器件包括:

衬底基板;

第一缓冲层,形成于所述衬底基板上;

层间绝缘层,形成于所述第一缓冲层上;

第一金属层,形成所述层间绝缘层表面,其中,所述第一金属层为构成所述显示器件的存储电容的第一电极;

至少一无机膜层,形成于所述第一金属层表面;

导电层,形成于所述无机膜层表面;

第二金属层,形成于所述导电层表面,其中,所述第二金属层为构成所述存储电容的第二电极。

7.根据权利要求6所述的OLED显示面板,其特征在于,所述存储电容是通过对所述第一金属层对应的像素定义层、平坦层进行图案化处理以形成开口,并沉积所述导电层以及所述第二金属层来形成的。

8.根据权利要求7所述的OLED显示面板,其特征在于,所述显示器件还包括:

OLED显示层;

所述第一金属层为薄膜晶体管切换区中的部分源漏极金属层,所述无机膜层为钝化层,所述导电层为所述OLED显示层中的电子传输功能层,所述第二金属层为所述OLED层中的阴极层。

9.根据权利要求6所述的OLED显示面板,其特征在于,所述存储电容是通过对部分所述第一金属层对应的所述钝化层、所述像素定义层进行图案化处理以形成开口,以露出所述第一金属层,沉积无机像素定义层以及所述像素定义层,剥离所述开口所对应的像素定义层,并沉积所述导电层以及所述第二金属层来形成的。

10.根据权利要求9所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一金属层为薄膜晶体管层中的源漏极金属层,所述无机膜层为所述无机像素定义层,所述导电层为OLED显示层中的电子传输层,所述第二金属层为所述OLED层中的阴极层。

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