[发明专利]一种显示器件及OLED显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示器制造技术领域，特别涉及一种显示器件及OLED显示面板。

背景技术

在平板显示技术中，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。相对于LCD(Liquid crystal displays，液晶显示器)，OLED具有更省电，更薄，且视角宽的优势，这是LCD无法比拟的。目前，人们对显示的细腻程度即分辨率要求越来越高，但生产高质量、高分辨率的OLED显示屏仍然面临着许多挑战。

OLED按照驱动类型可分为无源OLED和有源OLED。而现有的有源OLED器件一般为两个电晶体之间夹着一个存储电容，图1所示为现有的有源OLED器件的膜层结构图，所述OLED显示面板包括薄膜晶体管层、OLED显示层10，其中，所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管切换区20、薄膜晶体管驱动区30以及存储电容40；其等效电路图如图2所示，在薄膜晶体管T1与薄膜晶体管T2之间夹着一个存储电容Cst。薄膜晶体管T1、T2均为场效应晶体管。薄膜晶体管T1为信号切换晶体管，其用于数据信号的传送和切断；薄膜晶体管T2为驱动晶体管，其与有机发光二级管D连接。具体的，信号切换晶体管T1的栅极接收扫描信号Vgate，源极接收数据信号Vdata，漏极与驱动晶体管T2的栅极连接；驱动晶体管T2的源极接电源Vdd，漏极接有机发光二级管D的阳极；有机发光二级管D的阴极接地Vss；存储电容Cst连接在信号切换晶体管T1的漏极与驱动晶体管T2的源极之间。

该电路的工作原理是，当扫描信号Vgate到来时，信号切换晶体管T1导通，数据信号Vdata输入驱动晶体管T2的栅极，经该驱动晶体管T2放大后驱动有机发光二极管D进行显示。当扫描信号结束后，存储电容Cst是维持像素电极电位的主要手段，统一增大存储电容可以有效的改善画面的均一性，提升显示质量。

现有显示器件中的存储电容由栅极金属、源漏极金属及二者之间的绝缘层或源漏极金属、像素电极及二者之间的绝缘层构成，图1所示中所述存储电容由栅极金属、源漏极金属及二者之间的绝缘层构成，此类存储电容需要在所述薄膜晶体管层布置大量的栅极与栅线，占据了大量的布局面积，使得现有的显示器件所对应的最大分辨率受到限制，同时对应高分辨率产品也牺牲了发光开口率。

发明内容

本发明提供了一种显示器件及OLED显示面板，以解决现有显示器件中因存储电容的阵列布局占据大量的面积，导致现有的显示器件所对应的最大分辨率受到限制。

为解决上述方案，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种显示器件，所述显示器件包括：

衬底基板；

第一缓冲层，形成于所述衬底基板上；

层间绝缘层，形成于所述第一缓冲层上；

第一金属层，形成所述层间绝缘层表面，其中，所述第一金属层为构成所述显示器件的存储电容的第一电极；

至少一无机膜层，形成于所述第一金属层表面；

导电层，形成于所述无机膜层表面；

第二金属层，形成于所述导电层表面，其中，所述第二金属层为构成所述存储电容的第二电极。

根据本发明一优选实施例，所述存储电容是通过对所述第一金属层对应的像素定义层、平坦层进行图案化处理以形成开口，并沉积导电层以及第二金属层来形成的。

根据本发明一优选实施例，所述显示器件还包括：

OLED显示层；

所述第一金属层为薄膜晶体管切换区中的部分源漏极金属层，所述无机膜层为钝化层，所述导电层为所述OLED显示层中的电子传输功能层，所述第二金属层为所述OLED层中的阴极层。

根据本发明一优选实施例，所述存储电容是通过对部分所述第一金属层对应的所述钝化层、所述平坦层进行图案化处理以形成开口，以露出所述第一金属层，沉积无机像素定义层以及所述像素定义层，剥离所述开口所对应的像素定义层，并沉积所述导电层以及所述第二金属层来形成的。

根据本发明一优选实施例，所述第一金属层为薄膜晶体管层中的源漏极金属层，所述无机膜层为所述无机像素定义层，所述导电层为OLED显示层中的电子传输层，所述第二金属层为所述OLED层中的阴极层。

本发明还提供了一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括显示器件、薄膜晶体管层，其中，所述显示器件包括：

衬底基板；