[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一有源图案，在第一方向上延伸，且在衬底的第一区以及第二区上，所述第一有源图案具有一对源极/漏极区以及在所述一对源极/漏极区之间的第一耗尽区；

第一虚拟栅极电极，在所述第一耗尽区上并且在第二方向上延伸，且与所述第一区以及所述第二区之间的所述第一有源图案交叉，当在平面图中查看时，所述第一虚拟栅极电极在所述第一区以及所述第二区之间与所述第一有源图案重叠；

接触结构，接触所述第一虚拟栅极电极并且在所述第一方向上延伸；以及

电力线，安置在所述接触结构上并且通过所述接触结构电连接到所述第一虚拟栅极电极，所述电力线在所述第一方向上延伸，

其中当在平面图中查看时所述接触结构与所述电力线重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述接触结构包括：

线性部分，具有在所述第一方向上延伸的线性形状；以及

第一突出部分，在所述第二方向上从所述线性部分中突出。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，当在平面图中查看时所述线性部分以及所述第一突出部分与所述第一有源图案间隔开。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

第二有源图案，在所述第一方向上延伸，且在所述衬底的第三区以及第四区上，所述第二有源图案具有一对源极/漏极区以及在所述一对源极/漏极区之间的第二耗尽区；以及

第二虚拟栅极电极，在所述第二耗尽区上并且在所述第二方向上延伸，并且与所述第三区以及所述第四区之间的所述第二有源图案交叉，

其中所述接触结构还包括：

第二突出部分，在与所述接触结构的所述第一突出部分的突出方向相反的方向上从所述线性部分中突出，

其中所述第一虚拟栅极电极接触所述第一突出部分，并且

其中所述第二虚拟栅极电极接触所述第二突出部分。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述接触结还包括：

第二突出部分，在所述第二方向上从所述线性部分中突出，并且

其中所述第二突出部分电连接到所述第一有源图案的源极/漏极区。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，在垂直于所述衬底的顶部表面的方向上的所述第二突出部分的底部表面的高度不同于在垂直于所述衬底的顶部表面的方向上的所述线性部分的底部表面的高度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

通路，安置在所述接触结构与所述电力线之间并且在所述第一方向上延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一虚拟栅极电极防止载子在所述第一有源图案中在所述第一区与所述第二区之间移动。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

栅极电极，与所述第一有源图案交叉并且在所述第二方向上延伸，

其中所述栅极电极与所述接触结构间隔开。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

装置隔离图案，安置在所述衬底上并且定义所述第一有源图案，

其中当在平面图中查看时所述接触结构与所述装置隔离图案重叠。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一区以及所述第二区相对于彼此布置在所述第一方向上。