[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，其包含：第一有源图案，其在衬底的第一区和第二区上在第一方向上延伸；第一虚拟栅极电极，其在第二方向上延伸与第一区和第二区之间的第一有源图案交叉；接触结构，其接触第一虚拟栅极电极并且在第一方向上延伸；以及电力线，其安置在接触结构上并且电连接到接触结构。电力线在第一方向上延伸。当在平面图中查看时接触结构与电力线重叠。本发明的半导体装置的整体面积可以减小并且半导体装置的电气特征可以得到改进。

相关申请的交叉参考

根据2016年11月9日在韩国知识产权局提交的10-2016-0149079号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的披露内容全部以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体装置，更确切地说，涉及包含场效应晶体管的半导体装置。

背景技术

由于半导体装置的尺寸小、多功能特征和/或低制造成本，使得半导体装置广泛的用于电子行业中。半导体装置可以分类为存储逻辑数据的半导体存储器装置、处理逻辑数据的半导体逻辑装置以及具有半导体存储器装置的功能和半导体逻辑装置的功能这两者的混合半导体装置中的任何一种。随着电子行业的发展，对具有优良特征的半导体装置的需求也在不断提高。举例来说，在快速发展的电子行业中，对半导体装置的高可靠性、高速和/或多功能能力的需求正在不断提高。为了满足这种需求，半导体装置已经变得高度集成并且半导体装置的结构已经变得更加复杂。

发明内容

本发明的实施例可以提供包含具有改进的电气特征的场效应晶体管的半导体装置。

在一个方面中，半导体装置可以包含：第一有源图案，其在第一方向上延伸，且在衬底的第一区和第二区上；第一虚拟栅极电极，其在第二方向上延伸，且与第一区和第二区之间的第一有源图案交叉；接触结构，其接触第一虚拟栅极电极并且在第一方向上延伸；以及电力线，其安置在接触结构上并且电连接到接触结构。电力线可以在第一方向上延伸。当在平面图中查看时接触结构可以与电力线重叠。

在一个方面中，半导体装置可以包含：衬底，其包含有源图案，所述有源图案具有一对掺杂剂区和在该对掺杂剂区之间的耗尽区(depletion region)；虚拟栅极电极，其在耗尽区上；接触结构，其安置在虚拟栅极电极上并且连接到虚拟栅极电极；以及电力线，其安置在接触结构上并且电连接到接触结构。接触结构可以包含：线性部分，其在电力线的纵向方向上延伸；以及第一突出部分，其从线性部分中突出并且覆盖虚拟栅极电极的顶部表面。

在一个方面中，半导体装置可以包含：第一标准单元、第二标准单元、第三标准单元和第四标准单元，其提供在衬底上；第一虚拟栅极电极，其提供在第一标准单元与第二标准单元之间的边界处；接触结构，其提供在第一标准单元与第三标准单元之间的边界以及第二标准单元与第四标准单元之间的边界处；以及电力线，其提供在第一标准单元与第三标准单元之间的边界以及第二标准单元与第四标准单元之间的边界处，其中第一标准单元和第二标准单元布置在第一方向上，其中第三标准单元和第四标准单元布置在第一方向上，其中第一标准单元和第三标准单元布置在与第一方向交叉的第二方向上，其中第二标准单元和第四标准单元布置在第二方向上，并且其中电力线通过接触结构施加电压到第一虚拟栅极电极。

在一个方面中，半导体装置可以包含：有源图案，其在第一方向上延伸，且提供在衬底上，所述有源图案具有一对源极/漏极区以及在该对源极/漏极区之间的耗尽区；虚拟栅极电极，其在耗尽区上并且在第二方向上延伸与有源图案交叉；接触结构，其安置在虚拟栅极电极上并且连接到虚拟栅极电极且在第一方向上延伸；以及通路和电力线，其安置在接触结构上，其中通路安置在接触结构与电力线之间，所述通路具有在第二方向上延伸的线性形状并且所述电力线具有沿着通路在第二方向上延伸的线性形状，其中当在平面图中查看时接触结构和通路与电力线重叠。