[发明专利]一种退火工艺的检测方法

权利要求书

1.一种退火工艺的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供一半导体基底；

步骤S2、对所述半导体基底进行离子注入；

步骤S3、于所述半导体基底上生长一层氧化膜；

步骤S4、对所述半导体基底进行退火；

步骤S5、测量退火后的所述半导体基底的电学参数；

所述步骤S5中，测量方法为：

利用探针对所述半导体基底内某一深度范围内的体电阻进行测量，或者

测量所述半导体基底内的某一深度的硼离子浓度，或者

测量后续形成的晶体管的阈值电压或饱和电流。

2.如权利要求1所述的退火工艺的检测方法，其特征在于，所述步骤S2中所述离子注入为浅层离子注入。

3.如权利要求1所述的退火工艺的检测方法，其特征在于，所述离子注入的离子为硼离子。

4.如权利要求1所述的退火工艺的检测方法，其特征在于，所述氧化膜的生长方式为化学气相沉积。

5.如权利要求1所述的退火工艺的检测方法，其特征在于，所述氧化膜的材料为硅的氧化物。

6.如权利要求1所述的退火工艺的检测方法，基特征在于，所述氧化膜的厚度为50埃。

7.如权利要求1所述的退火工艺的检测方法，其特征在于，所述退火为快速热退火。

8.如权利要求1所述的退火工艺的检测方法，其特征在于，所述电学参数包括经过离子注入和退火的所述半导体基底的电阻。