[发明专利]一种退火工艺的检测方法

说明书

本发明公开了一种退火工艺的检测方法，属于半导体制造技术领域包括以下步骤：包括以下步骤：步骤S1、提供一半导体基底；步骤S2、对所述半导体基底进行离子注入；步骤S3、于所述半导体基底上生长一层氧化膜；步骤S4、对所述半导体基底进行退火；步骤S5、测量退火后的所述半导体基底的电学参数。上述技术方案的有益效果是：离子注入之后在晶片的表面生长一层氧化膜，避免出现离子在退火过程中因高温而逸出晶片导致的晶片表面电阻偏高的现象，从而提高退火工艺检测的准确率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种退火工艺的检测方法。

背景技术

往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有激活施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。杂质的激活与时间和温度有关，时间越长，温度越高，杂质的激活越充分。

随着，半导体器件尺寸的减小，离子注入的精确越来越难控制，从而需要利用退火来对离子注入进行调整，尤其在65nm以下工艺中利用退火对离子注入进行再扩散变的非常重要。然而，退火温度和时间的不同，对器件的影响很大，因此在半导体制造中需要对退火进行测试。

现有技术中，对退火工艺的检测方法主要是将一些离子注入到一块晶片上，再进行退火，然后测量晶片表面电阻，以电阻来反映退火温度。为提高用于检测的晶片的循环利用次数，通常在离子注入时使用浅层注入，由于浅层注入的离子距离晶片表面很近，在退火过程中高温会使部分离子逸出晶片，晶片内实际留存的离子偏少，晶片表面电阻偏高，从而导致测量结果偏高，不利于对退火工艺的控制。

发明内容

根据现有技术中存在的上述问题，现提供一种退火工艺的检测方法，旨在现有技术中，在退火过程中离子因高温逸出晶片，使得晶片内实际留存的离子偏少，晶片表面电阻偏高，从而导致测量结果偏高的问题。本发明采用如下技术方案：

一种退火工艺的检测方法，包括以下步骤：

步骤S1、提供一半导体基底；

步骤S2、对所述半导体基底进行离子注入；

步骤S3、于所述半导体基底上生长一层氧化膜；

步骤S4、对所述半导体基底进行退火；

步骤S5、测量退火后的所述半导体基底的电学参数。

较佳的，上述退火工艺的检测方法中，所述步骤S2中所述离子注入为浅层离子注入。

较佳的，上述退火工艺的检测方法中，所述离子注入的离子为硼离子。

较佳的，上述退火工艺的检测方法中，所述氧化膜的生长方式为化学气相沉积。

较佳的，上述退火工艺的检测方法中，所述氧化膜的材料为硅的氧化物。

较佳的，上述退火工艺的检测方法中，所述氧化膜的厚度为50埃。

较佳的，上述退火工艺的检测方法中，所述退火为快速热退火。

较佳的，上述退火工艺的检测方法中，所述电学参数包括经过离子注入和退火的所述半导体基底的电阻。

上述技术方案的有益效果是：离子注入之后在晶片的表面生长一层氧化膜，避免出现离子在退火过程中因高温而逸出晶片导致的晶片表面电阻偏高的现象，从而提高退火工艺检测的准确率。

附图说明

图1是本发明的较佳的实施例中，一种退火工艺检测方法的流程图。

具体实施方式