[发明专利]AMOLED外部电学补偿侦测方法

权利要求书

1.一种AMOLED外部电学补偿侦测方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供AMOLED显示器；

所述AMOLED显示器内具有呈阵列式排布的外部补偿像素电路，所述外部补偿像素电路包括驱动薄膜晶体管(T1)、开关薄膜晶体管(T2)、侦测薄膜晶体管(T3)、有机发光二级管(D)及电容(C)；

所述开关薄膜晶体管(T2)的栅极接入扫描信号(Gate)，漏极接入数据信号(Data)，源极电性连接驱动薄膜晶体管(T1)的栅极(g)；所述驱动薄膜晶体管(T1)的漏极接入电源正电压(VDD)，源极(s)电性连接侦测薄膜晶体管(T3)的漏极；所述侦测薄膜晶体管(T3)的栅极接入控制信号(P)，源极电性连接侦测走线(L)；所述有机发光二级管(D)的阳极电性连接驱动薄膜晶体管(T1)的源极(s)，阴极接入电源负电压(VSS)；所述电容(C)的一端电性连接驱动薄膜晶体管(T1)的栅极(g)，另一端电性连接驱动薄膜晶体管(T1)的源极(s)；

步骤S2、进入显示模式，先估算出侦测薄膜晶体管(T3)的漏极与源极之间的跨压，再将所述侦测薄膜晶体管(T3)的漏极与源极之间的跨压的估算值用于计算驱动薄膜晶体管(T1)的栅源极电压；

步骤S3、进入侦测模式，先估算出侦测薄膜晶体管(T3)的漏极与源极之间的跨压，再将所述侦测薄膜晶体管(T3)的漏极与源极之间的跨压的估算值用于计算驱动薄膜晶体管(T1)的源极(s)的电压；

步骤S4，将所述步骤S3计算得到的驱动薄膜晶体管(T1)的源极(s)的电压用于计算驱动薄膜晶体管(T1)的阈值电压与载流子迁移率。

2.如权利要求1所述的AMOLED外部电学补偿侦测方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述扫描信号(Gate)控制开关薄膜晶体管(T2)打开，控制信号(P)控制侦测薄膜晶体管(T3)打开，所述侦测走线(L)接入一恒定电压(V_cm)，所述数据信号(Data)的电压写入驱动薄膜晶体管(T1)的栅极(g)，所述侦测薄膜晶体管(T3)在其线性区工作。

3.如权利要求2所述的AMOLED外部电学补偿侦测方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述侦测薄膜晶体管(T3)的漏极与源极之间的跨压的估算公式为：

V_ds3表示所述侦测薄膜晶体管(T3)的漏极与源极之间的跨压；

a＝V_Data-V_cm-V_th1；

其中，V_Data表示数据信号(Data)的电压，V_cm表示所述恒定电压，V_th1表示驱动薄膜晶体管(T1)的阈值电压的设计值；

其中，L₁表示驱动薄膜晶体管(T1)的沟道长度，W₁表示驱动薄膜晶体管(T1)的沟道宽度，L₃表示侦测薄膜晶体管(T3)的沟道长度，W₃表示侦测薄膜晶体管(T3)的沟道宽度，VGH表示驱动薄膜晶体管(T1)打开瞬间其栅极(g)的电压，V_th3表示侦测薄膜晶体管(T3)的阈值电压的设计值。

4.如权利要求3所述的AMOLED外部电学补偿侦测方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述驱动薄膜晶体管(T1)的栅源极电压的计算公式为：

V_gs＝V_Data-V_cm-V_ds3；

其中，V_gs表示驱动薄膜晶体管(T1)的栅源极电压。