[发明专利]AMOLED外部电学补偿侦测方法

说明书

本发明提供一种AMOLED外部电学补偿侦测方法，在显示模式下，先估算出侦测薄膜晶体管的漏极与源极之间的跨压，再将所述侦测薄膜晶体管的漏极与源极之间的跨压的估算值用于计算驱动薄膜晶体管的栅源极电压，能够提高驱动薄膜晶体管栅源极电压的写入精确度；在侦测模式下，先估算出侦测薄膜晶体管的漏极与源极之间的跨压，再将所述侦测薄膜晶体管的漏极与源极之间的跨压的估算值用于计算驱动薄膜晶体管的源极的电压，然后将计算得到的驱动薄膜晶体管的源极的电压用于计算驱动薄膜晶体管的阈值电压与载流子迁移率，能够减小驱动薄膜晶体管的阈值电压与载流子迁移率的计算误差，改善AMOLED外部电学补偿侦测的精确度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED外部电学补偿侦测方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示器具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全彩显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示器。

OLED显示器按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED显示器具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用于高清晰度的大尺寸显示装置。

由于AMOLED显示器为电流驱动型显示装置，驱动TFT的均匀性和稳定性会影响显示效果，具体表现在AMOLED各个像素间的显示亮度不均匀，需要采取补偿措施。目前，业内对AMOLED的补偿技术包括像素内的内部补偿与像素外的外部补偿，其中，外部补偿又分为外部光学补偿与外部电学补偿。在大尺寸AMOLED显示领域，外部电学补偿技术有为重要，其原理是将AMOLED像素内TFT的不均匀特性通过电学侦测方法获得，再将偏差值补偿在像素驱动电压上，因此电学侦测的准确性会直接影响外部电学补偿的效果。

请同时参阅图1与图2，在现有的3T1C结构的外部补偿像素电路中，第一薄膜晶体管T10为驱动薄膜晶体管，用于直接驱动有机发光二极管D10；第二薄膜晶体管T20为开关薄膜晶体管，用于控制图像数据电压Data的写入；第三薄膜晶体管T30为侦测薄膜晶体管，用于在显示模式下向其自身源极写入一恒定电压V_cm及在侦测模式侦测第一薄膜晶体管T10的源极s的电压。

请参阅图1，现有的外部电学补偿侦测方案忽略了显示模式下第三薄膜晶体管T30的栅极与源极之间的跨压，认为第一薄膜晶体管T10的源极s的电压Vs等于所述恒定电压V_cm，但由于第三薄膜晶体管T30的漏极与源极之间的跨压V_ds实际不为0，造成第一薄膜晶体管T10的栅极g与源极s之间的电压Vgs不等于预期值，只不过该偏差未被重视。

请同时参阅图1与图2，侦测模式分为电位重置阶段与充电阶段。电位重置阶段仍保持图1所示的状态；而进入充电阶段后，第二薄膜晶体管T20关闭，第一薄膜晶体管T10流过电流I_D，且电流I_D流经第三薄膜晶体管T30，在这个阶段根据侦测到的第一薄膜晶体管T10的源极s的电压，便能够计算出第一薄膜晶体管T10的阈值电压和载流子迁移率。现有的外部电学补偿侦测方案同样忽略了侦测模式下第三薄膜晶体管T30的漏极与源极之间的跨压，认为在第三薄膜晶体管T30的源极所侦测到的电压V_sense即等于第一薄膜晶体管T10的源极s的电压，严格来讲这种忽略必然会带来误差，造成第一薄膜晶体管T10的阈值电压和载流子迁移率的计算值也存在误差。

发明内容