[发明专利]一种基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号求解方法

权利要求书

1.一种基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号的求解方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：确定待求解缺陷漏磁信号对应的物质表面的缺陷尺寸和提离值t，其中，所述物质表面的缺陷尺寸包括缺陷长度l、缺陷宽度w和缺陷深度d；

S2：将所述待求解缺陷漏磁信号的缺陷沿所述缺陷深度的方向划分为等深度的n个子缺陷，并从所述n个子缺陷中确定基本子缺陷；

S3：分别对所述n个子缺陷在所述提离值t处所对应的缺陷漏磁信号进行深度-提离值变换，求解不同深度范围的所述n个子缺陷在所述提离值t处所对应的缺陷漏磁信号得到提离值序列Tn；

S4：根据所述提离值序列Tn，获取所述基本子缺陷在不同提离值所对应的缺陷漏磁信号；

S5：将所述基本子缺陷在不同提离值所对应的缺陷漏磁信号进行组合操作，得到所述待求解缺陷漏磁信号。

2.根据权利要求1所述的基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号的求解方法，其特征在于，在所述S1之前还包括：采用直流磁化场进行饱和磁化处理所述待求解缺陷漏磁信号对应的物质表面以能确定待求解物质表面的缺陷尺寸。

3.根据权利要求1所述的基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号的求解方法，其特征在于，所述缺陷长度的方向是沿所述待求解缺陷漏磁信号对应的物质表面的磁化方向，所述缺陷深度的方向是沿所述待求解缺陷漏磁信号对应的物质表面的厚度方向，所述缺陷宽度的方向是垂直于所述缺陷长度的方向和所述缺陷深度的方向所在平面。

4.根据权利要求1所述的基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号的求解方法，其特征在于，所述n个子缺陷中，n≥2，且每个子缺陷的长度和宽度与所述待求解缺陷漏磁信号对应的物质表面的所述缺陷长度和所述缺陷宽度相等，所述n个子缺陷的缺陷深度均为d/n，且n个子缺陷的深度范围依次为：[0,-d/n],[-d/n,-2d/n],...,[-(n-1)d/n,-d]，其中，深度范围为[0,-d/n]的子缺陷为基本子缺陷。

5.根据权利要求1所述的基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号的求解方法，其特征在于，所述分别对所述n个子缺陷在所述提离值t处所对应的缺陷漏磁信号进行深度-提离值变换，其中，所述深度-提离值变换满足下述等式：

B(-kd/n,-(k+1)d/n,t)＝B(0,-d/n,t+kd/n)，

其中，B(-kd/n,-(k+1)d/n,t)表示深度范围为[-kd/n,-(k+1)d/n]的子缺陷在提离值为t处所对应的缺陷漏磁信号，B(0,-d/n,t+kd/n)表示深度范围为[0,-d/n]的子缺陷在提离值为t+kd/n处所对应的缺陷漏磁信号，k＝0,1,...,n-1。

6.根据权利要求1所述的基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号的求解方法，其特征在于，所述提离值序列Tn共包含n个元素，且满足下述等式：

Tn＝[t,t+d/n,...,t+kd/n,...,t+d]，k＝0,1,...,n-1。

7.根据权利要求1所述的基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号的求解方法，其特征在于，所述组合操作是将所述基本子缺陷在不同提离值下所述对应的缺陷漏磁信号相加，并乘以修正系数p，p的取值范围为[0.9,1.3]，得到的待求解缺陷漏磁信号B满足下述计算公式：