[发明专利]一种基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号求解方法

说明书

本发明公开了一种基于深度‑提离值变换的缺陷漏磁信号求解方法，包括以下步骤：S1：确定待求解缺陷漏磁信号对应的物质表面的缺陷尺寸和提离值t；S2：将待求解缺陷漏磁信号的缺陷沿缺陷深度的方向划分为等深度的n个子缺陷，并从n个子缺陷中确定基本子缺陷；S3：分别对n个子缺陷在提离值t处所对应的缺陷漏磁信号进行深度‑提离值变换，求解不同深度范围的n个子缺陷在提离值t处所对应的缺陷漏磁信号得到提离值序列Tn；S4：根据提离值序列Tn，获取基本子缺陷在不同提离值所对应的缺陷漏磁信号；S5：将基本子缺陷在不同提离值所对应的缺陷漏磁信号进行组合操作，得到待求解缺陷漏磁信号。本发明具有计算速度快，计算精度高的优点。

技术领域

本发明涉及无损检测技术领域，具体涉及一种基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号求解方法。

背景技术

漏磁检测是一种普遍应用于铁磁性材料缺陷检测与评估中的无损检测技术，具有在线检测速度快、可靠性高、对检测环境要求低等优点。对检测得到的缺陷漏磁信号进行分析，进而实现缺陷量化或成像是漏磁检测的重要应用之一。缺陷的量化或成像通常采用闭环迭代结构，其中最重要的环节是构建正向模型，根据给定的缺陷尺寸求解对应的缺陷漏磁信号。对于缺陷漏磁信号的求解，在目前的相关技术中，例如三维漏磁检测缺陷轮廓重构方法，其采用正向有限元计算模型求解缺陷漏磁信号，有限元计算过程复杂，计算时间长、效率低；例如三维漏磁检测缺陷复合反演成像方法，其依次采用正向有限元神经网络模型和正向有限元计算模型求解缺陷漏磁信号，这种方法虽然计算精度很高，但计算速度慢，且对于不同尺寸缺陷的漏磁信号求解，均需要重新进行模型计算，效率低。

发明内容

本发明旨在至少解决上述技术问题之一。

为此，本发明的目的在于提出一种基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号求解方法，该方法可以有效求解缺陷漏磁信号，具有计算速度快，计算精度高的优点。

本发明的实施例公开了一种基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号求解方法，包括如下步骤：S1：确定待求解缺陷漏磁信号对应的物质表面的缺陷尺寸和提离值t，其中，所述物质表面的缺陷尺寸包括缺陷长度、缺陷宽度和缺陷深度；S2：将所述待求解缺陷漏磁信号的缺陷沿所述缺陷深度的方向划分为等深度的n个子缺陷，并从所述n个子缺陷中确定基本子缺陷；S3：分别对所述n个子缺陷在所述提离值t处所对应的缺陷漏磁信号进行深度-提离值变换，求解不同深度范围的所述n个子缺陷在所述提离值t处所对应的缺陷漏磁信号得到提离值序列Tn；S4：根据所述提离值序列Tn，获取所述基本子缺陷在不同提离值所对应的缺陷漏磁信号；S5：将所述基本子缺陷在不同提离值所对应的缺陷漏磁信号进行组合操作，得到所述待求解缺陷漏磁信号。

根据本发明实施例的一种基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号求解方法，可以将不同深度范围的子缺陷所对应的缺陷漏磁信号求解转换为相应的基本子缺陷在不同提离值下的缺陷漏磁信号的组合，对于长度、宽度相同但深度不同的缺陷，可以选取相同的基本子缺陷，因此，本发明的方法，在对于不同深度的缺陷漏磁信号求解时，不需要再重新进行有限元等复杂模型的构建与计算，只需要将基本子缺陷在不同提离值下的缺陷漏磁信号进行组合，即可得到不同深度的缺陷漏磁信号，有效简化了信号求解过程，显著减少了求解时间。

另外，根据本发明上述实施例的一种基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号求解方法，还可以具有如下附加的技术特征：

在一些示例中，在所述S1之前还包括：采用直流磁化场进行饱和磁化处理所述待求解缺陷漏磁信号对应的物质表面以能确定待求解物质表面的缺陷尺寸。

在一些示例中，所述缺陷长度的方向是沿所述待求解缺陷漏磁信号对应的物质表面的磁化方向，所述缺陷深度的方向是沿所述待求解缺陷漏磁信号对应的物质表面的厚度方向，所述缺陷宽度的方向是垂直于所述缺陷长度的方向和所述缺陷深度的方向所在平面。