[发明专利]一种耐磨防指纹磨砂玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种耐磨防指纹磨砂玻璃，包括依次接触的磨砂玻璃基材、SiO₂层、含氢DLC层和防指纹层。

2.根据权利要求1所述的耐磨防指纹磨砂玻璃，其特征在于，所述SiO₂层的厚度为30～100nm。

3.根据权利要求1所述的耐磨防指纹磨砂玻璃，其特征在于，所述含氢DLC层的厚度为3～15nm。

4.根据权利要求1所述的耐磨防指纹磨砂玻璃，其特征在于，所述防指纹层包括硅氧化合物过渡层和硅氟化合物层；所述硅氧化合物过渡层与所述含氢DLC层相接触；

所述硅氟化合物层的厚度为2～50nm；所述硅氧化合物过渡层的厚度为8～50nm。

5.一种耐磨防指纹磨砂玻璃的制备方法，包括以下步骤：

A)以Si为靶材，通入Ar气和O₂，在真空条件下对磨砂玻璃基材进行磁控溅射，得到镀有SiO₂层的磨砂玻璃；

B)以石墨为靶材，通入Ar气和H₂，在真空条件下对镀有SiO₂层的磨砂玻璃进行磁控溅射，得到镀有含氢DLC层的磨砂玻璃；

C)在真空条件下，先以Si为靶材，采用磁控溅射在镀有含氢DLC层的磨砂玻璃表面制备硅氧化合物过渡层，再使用硅氟化合物溶液或药丸在所述硅氧化合物过渡层上进行真空蒸镀制备硅氟化合物层，得到耐磨防指纹磨砂玻璃。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A)中真空度为(3.0～6.0)E-6mTorr；

Ar气的流量为45～120sccm；O₂的流量为10～60sccm。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A)中磁控溅射的镀膜气压为3.0～9.0mTorr；

所述磁控溅射的镀膜电压为300～460V；

所述磁控溅射的镀膜时间为15～60s；

所述Si靶的功率为1.0～6.0kW。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B)中真空度为(3.0～6.0)E-6mTorr；

Ar气的流量为25～45sccm；H₂的流量为10～30sccm。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B)中所述磁控溅射的镀膜气压为3.0～6.0mTorr；

所述磁控溅射的镀膜电压为600～800V；

所述磁控溅射的镀膜时间为15～50s；

所述C靶的功率为5.0～8.0kW。

10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤C)中的真空度为(4.0～6.0)E-6Torr；

所述步骤C)中Si靶的功率为1.0～7.0kW；

所述步骤C)中磁控溅射的镀膜时间为5～30min；

所述步骤C)中真空蒸镀的镀膜时间为3～20min。