[发明专利]一种耐磨防指纹磨砂玻璃及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710977466.0 申请日: 2017-10-17
公开(公告)号: CN107500566A 公开(公告)日: 2017-12-22
发明(设计)人: 陈立;吴德生;朱得菊;吕鹏程 申请(专利权)人: 信利光电股份有限公司
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 赵青朵
地址: 516600 广东省汕尾*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 耐磨 指纹 磨砂玻璃 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于膜技术领域,尤其涉及一种耐磨防指纹磨砂玻璃及其制备方法。

背景技术

磨砂玻璃,即AG玻璃,又叫抗反射玻璃和防眩光玻璃,英文名为Anti-glare glass,是通过机械或化学的方法对玻璃表面进行特殊加工的一种玻璃。其特点是使原玻璃反光表面变为哑光无反射表面(表面凹凸不平),让观赏者能体验到更佳的感官视觉。AG玻璃光泽度大小不同,应用领域不同,光泽度越高,透过率越高,可以应用在显示设备的前盖板,减少光反射;光泽度低,磨砂感更强,适用于电子产品的后盖及一些装饰件,提高使用手感和视觉感。然而AG玻璃薄表面凹凸不平,粗糙度很大,这使得磨砂玻璃的耐磨效果很差,在一定程度上限制了其使用性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种耐磨防指纹磨砂玻璃及其制备方法,本发明中的磨砂玻璃具有较好的耐磨性、耐刮性和防指纹特性。

本发明提供一种耐磨防指纹磨砂玻璃,包括依次接触的磨砂玻璃基材、SiO2层、含氢DLC层和防指纹层。

优选的,所述SiO2层的厚度为30~100nm。

优选的,所述含氢DLC层的厚度为3~15nm。

优选的,所述防指纹层包括硅氧化合物过渡层和硅氟化合物层;所述硅氧化合物过渡层与所述含氢DLC层相接触;

所述硅氟化合物层的厚度为2~50nm;所述硅氧化合物过渡层的厚度为8~50nm。

本发明提供一种耐磨防指纹磨砂玻璃的制备方法,包括以下步骤:

A)以Si为靶材,通入Ar气和O2,在真空条件下对磨砂玻璃基材进行磁控溅射,得到镀有SiO2层的磨砂玻璃;

B)以石墨为靶材,通入Ar气和H2,在真空条件下对镀有SiO2层的磨砂玻璃进行磁控溅射,得到镀有含氢DLC层的磨砂玻璃;

C)在真空条件下,先以Si为靶材,采用磁控溅射在镀有含氢DLC层的磨砂玻璃表面制备硅氧化合物过渡层,再使用硅氟化合物溶液或药丸在所述硅氧化合物过渡层上进行真空蒸镀制备硅氟化合物层,得到耐磨防指纹磨砂玻璃。

优选的,所述步骤A)中真空度为(3.0~6.0)E-6mTorr;

Ar气的流量为45~120sccm;O2的流量为10~60sccm。

优选的,所述磁控溅射的镀膜气压为3.0~9.0mTorr;

所述磁控溅射的镀膜电压为300~460V;

所述磁控溅射的镀膜时间为15~60s;

所述Si靶的功率为1.0~6.0kW。

优选的,所述步骤B)中真空度为(3.0~6.0)E-6mTorr;

Ar气的流量为25~45sccm;H2的流量为10~30sccm。

优选的,所述步骤B)中所述磁控溅射的镀膜气压为3.0~6.0mTorr;

所述磁控溅射的镀膜电压为600~800V;

所述磁控溅射的镀膜时间为15~50s;

所述C靶的功率为5.0~8.0kW。

优选的,所述步骤C)中的真空度为(4.0~6.0)E-6Torr;

所述步骤C)中Si靶的功率为1.0~7.0kW;

所述步骤C)中磁控溅射的镀膜时间为5~30min;

所述步骤C)中真空蒸镀的镀膜时间为3~20min。

本发明提供一种耐磨防指纹磨砂玻璃,包括依次接触的磨砂玻璃基材、SiO2层、含氢DLC层和防指纹层。本发明在AG玻璃表面,通过膜层结构设计,首先制备高硬度、高耐磨性的DLC层,然后再在DLC层表面制备一层防指纹AF层。通过该复合膜层,提高磨砂玻璃的耐刮性、耐磨性和防指纹的特性。

本发明还提供了一种耐磨防指纹磨砂玻璃的制备方法,本发明针对不同材质的膜层,采用不同的镀膜方法,同时调整镀膜参数,提高了产品的耐磨性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明耐磨防指纹磨砂玻璃的结构示意图。

具体实施方式

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