[发明专利]瞬态抑制二极管芯片结构

权利要求书

1.一种瞬态抑制二极管芯片结构，其特征在于，包括

第一导电类型衬底层；

形成于第一导电类型衬底层一表面的第一导电类型注入层；

形成于第一导电类型衬底层与第一导电类型注入层之间的第二导电类型外延层；以及

隔离结构，所述隔离结构贯穿所述第一导电类型注入层及所述第二导电类型外延层，将所述第一导电类型注入层及所述第二导电类型外延层分隔成两个及以上区域。

2.如权利要求1所述的瞬态抑制二极管芯片结构，其特征在于，还包括第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层形成于所述第一导电类型注入层与所述第二导电类型外延层之间，所述隔离结构贯穿所述第一导电类型外延层。

3.如权利要求2所述的瞬态抑制二极管芯片结构，其特征在于，

所述第一导电类型衬底层为P型衬底层、所述第一导电类型注入层为P型注入层、所述第一导电类型外延层为P型外延层、所述第二导电类型外延层为N型外延层；或者

所述第一导电类型衬底层为N型衬底层、所述第一导电类型注入层为N型注入层、所述第一导电类型外延层为N型外延层、所述第二导电类型外延层为P型外延层。

4.如权利要求1所述的瞬态抑制二极管芯片结构，其特征在于，所述瞬态抑制二极管芯片结构还包括金属层，所述金属层形成于第一导电类型注入层上；

所述隔离结构贯穿所述金属层。

5.如权利要求4所述的瞬态抑制二极管芯片结构，其特征在于，所述金属层的厚度范围为0～200μm。

6.如权利要求1至5中任意一项所述的瞬态抑制二极管芯片结构，其特征在于，所述隔离结构包括隔离槽，所述隔离槽贯穿所述第一导电类型注入层及所述第二导电类型外延层。