[发明专利]对准标记清洗方法以及半导体制造方法在审
| 申请号： | 201710980516.0 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109686649A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 宋春;曾红林;仇峰;陈文磊;游智星 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准标记 反应器皿 清洗 基底 半导体制造 操作过程 杂质反应 杂质去除 覆盖 排出 移除 罩住 | ||
1.一种对准标记清洗方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底上具有对准标记，所述对准标记被杂质覆盖；
提供反应器皿，使得所述反应器皿罩住被杂质覆盖的对准标记；
向所述反应器皿中注入药液，与所述杂质反应；
排出反应器皿中反应后的产物；以及
移除所述反应器皿。
2.如权利要求1所述的对准标记清洗方法，其特征在于，执行多次向所述反应器皿中注入药液以及排出反应器皿中反应后的产物的循环过程。
3.如权利要求1所述的对准标记清洗方法，其特征在于，所述对准标记的材质为硅。
4.如权利要求1所述的对准标记清洗方法，其特征在于，所述杂质为不透光杂质。
5.如权利要求4所述的对准标记清洗方法，其特征在于，所述杂质包括氧化物，所述药液包括浓度为40％～50％的氢氟酸溶液。
6.如权利要求4所述的对准标记清洗方法，其特征在于，所述杂质包括金属及其化合物，所述药液包括NH4OH和H2O2的混合液。
7.如权利要求1所述的对准标记清洗方法，其特征在于，在排出反应器皿中反应后的产物之后；在移除所述反应器皿之前，还包括：
利用去离子水清洗所述对准标记。
8.如权利要求1所述的对准标记清洗方法，其特征在于，所述反应器皿罩住被杂质覆盖的对准标记的方法包括：
所述基底固定于第一承载台上，所述反应器皿固定于第二承载台上，所述第一承载台与所述第二承载台相对间隔设置，所述反应器皿的一端开口朝向所述第一承载台；
使所述第一承载台与所述第二承载台相对移动，以便所述反应器皿罩住被杂质覆盖的对准标记。
9.如权利要求1所述的对准标记清洗方法，其特征在于，所述反应器皿为文氏管。
10.如权利要求1所述的对准标记清洗方法，其特征在于，所述对准标记为零层全局对准标记。
11.一种半导体制造方法，其特征在于，包括：在半导体制造过程中，利用如权利要求1-10中任一项所述的对准标记清洗方法进行对准标记的清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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