[发明专利]对准标记清洗方法以及半导体制造方法

说明书

本发明揭示了一种对准标记清洗方法，本发明提供的对准标记清洗方法中，所述对准标记清洗方法包括：提供一基底，所述基底上具有对准标记，所述对准标记被杂质覆盖；提供反应器皿，使得所述反应器皿罩住被杂质覆盖的对准标记；向所述反应器皿中注入药液，与所述杂质反应；排出反应器皿中反应后的产物；以及移除所述反应器皿。由此，通过药液定向的进行清洗，即可使得对准标记上的杂质去除，操作过程简单，效果良好，不易对基底产生其他影响，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种对准标记清洗方法以及半导体制造方法。

背景技术

对准过程是半导体制造加工过程中经常遇到的，且是对产品质量产生重大影响的因素之一。于是，在晶圆上存在各种对准标记，用以进行需要时的对准。

对准标记分为多类，例如存在一种被称为零层对准标记(zero mark)的对准标记，其制备在晶圆上，可以在后续加工过程中多次使用。

但是，多次使用容易导致这种对准标记被后续过程中的杂质(例如膜层残留等)遮挡，透光性逐渐变差；或者是杂质填充了对准标记之间的间隙，使得对准标记变得平坦，难以侦测到高度差，直至影响了对准过程。

发明内容

本发明的目的在于提供一种对准标记清洗方法以及半导体制造方法，改善对准标记被杂质遮挡的情况。

为解决上述技术问题，本发明提供一种对准标记清洗方法，包括：

提供一基底，所述基底上具有对准标记，所述对准标记被杂质覆盖；

提供反应器皿，使得所述反应器皿罩住被杂质覆盖的对准标记；

向所述反应器皿中注入药液，与所述杂质反应；

排出反应器皿中反应后的产物；以及

移除所述反应器皿。

可选的，对于所述的对准标记清洗方法，执行多次向所述反应器皿中注入药液以及排出反应器皿中反应后的产物的循环过程。

可选的，对于所述的对准标记清洗方法，所述对准标记的材质为硅。

可选的，对于所述的对准标记清洗方法，所述杂质为不透光杂质。

可选的，对于所述的对准标记清洗方法，所述杂质包括氧化物，所述药液包括浓度为40％～50％的氢氟酸溶液。

可选的，对于所述的对准标记清洗方法，所述杂质包括金属及其化合物，所述药液包括NH4OH和H2O2的混合液。

可选的，对于所述的对准标记清洗方法，在排出反应器皿中反应后的产物之后；在移除所述反应器皿之前，还包括：

利用去离子水清洗所述对准标记。

可选的，对于所述的对准标记清洗方法，所述反应器皿罩住被杂质覆盖的对准标记的方法包括：

所述基底固定于第一承载台上，所述反应器皿固定于第二承载台上，所述第一承载台与所述第二承载台相对间隔设置，所述反应器皿的一端开口朝向所述第一承载台；

使所述第一承载台与所述第二承载台相对移动，以便所述反应器皿罩住被杂质覆盖的对准标记。

可选的，对于所述的对准标记清洗方法，所述反应器皿为文氏管。

可选的，对于所述的对准标记清洗方法，所述对准标记为零层全局对准标记。

本发明还提供一种半导体制造方法，包括：在半导体制造过程中，利用如上所述的对准标记清洗方法进行对准标记的清洗，并以清洗后的对准标记继续进行半导体制造。