[发明专利]直接生长三维纳米阵列电极用作高面积容量的钠存储

权利要求书

1.一种直接生长三维纳米阵列金属硒化物电极的制备方法，该制备方法包括以下步骤：

(1)将集流体裁成直径为12mm的圆片，用盐酸，乙醇和水清洗干净，真空干燥备用。

(2)将集流体从烘箱出取出，然后称质量，取质量相同的片，进行后面的反应。

(3)将表面活性剂加入到15mL一种或是多种混合的溶剂中搅拌，然后加入一定量的前驱体的盐或是单质，搅拌溶解。

(4)将前驱体的溶液转移至50mL反应釜中，然后将相同质量的集流体的片放入溶液中，在一定温度下釜热反应12h。

(5)反应结束后，将集流体片取出，用水和乙醇清洗，真空干燥，得到初始的电极片。

(6)将电极片放入管式炉中，在惰性气氛的保护下进行后续的高温处理，进一步优化电极结构，获得最终的钠离子电池负极。

2.根据权利要求1所述的直接生长三维纳米阵列金属硒化物电极的制备方法，其中，所述的集流体为泡沫镍，泡沫铜之一。

3.根据权利要求1所述的直接生长三维纳米阵列金属硒化物电极的制备方法，其中，表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵(CTAB),聚乙烯吡咯烷酮(PVP),吐温80，十二烷基苯磺酸钠(SDBS)之一。

4.根据权利要求1所述的直接生长三维纳米阵列金属硒化物电极的制备方法，其中，溶剂为水合肼，乙醇，水，水合肼和乙醇的混合溶剂之一。

5.根据权利要求1所述的直接生长三维纳米阵列金属硒化物电极的制备方法，其中，前驱体的盐或是单质为硒粉，二氧化硒，亚硒酸，亚硒酸钠之一。

6.根据权利要求1所述的直接生长三维纳米阵列金属硒化物电极的制备方法，其中，釜热反应的温度为140℃,150℃，160℃,180℃之一。

7.根据权利要求1所述的直接生长三维纳米阵列金属硒化物电极的制备方法，其中，高温处理的温度为300℃，400℃，500℃，600℃，700℃之一。