[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括发光二极管晶粒及封装层，所述发光二极管晶粒包括半导体结构、设置于所述半导体结构上的第一电极及第二电极，所述半导体结构包括依次堆叠设置的N型半导体层、发光活性层及P型半导体层，所述第一电极设置于所述P型半导体层，所述第二电极设置于所述N型半导体层，所述封装层包覆所述发光二极管晶粒并露出所述N型半导体层、所述第一电极及所述第二电极，其特征在于，所述封装层沿所述半导体结构的堆叠方向开设与所述发光二极管晶粒的周缘间隔设置的贯穿孔，所述发光二极管还包括导电结构及第一导电层，所述导电结构填满所述贯穿孔，所述第一导电层形成于所述导电结构靠近所述第一电极的一端，并电连接所述第一电极及所述导电结构，所述发光二极管还包括第二导电层、第三导电层及第四导电层，所述第二导电层形成于所述第二电极远离所述N型半导体层的一端，所述第三导电层形成于所述导电结构远离所述第一导电层的一端，所述第四导电层形成于所述N型半导体层背离所述第二电极的一侧。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述半导体结构呈“凹”字型，所述N型半导体层包括未被层叠的发光活性层及P型半导体层覆盖的第一部分，及连接于所述第一部分周缘且被层叠的发光活性层及P型半导体层覆盖的第二部分，所述第二电极设置于所述第一部分。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一导电层远离所述导电结构的一端与所述第二导电层远离所述第二电极的一端齐平，所述第三导电层远离所述导电结构的一端与所述第四导电层远离所述N型半导体层的一端齐平。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极与所述P型半导体层之间设有一第一导电结合层，所述第四导电层与所述N型半导体层之间还设有一第二导电结合层。

5.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一导电层、所述第二导电层、所述第三导电层及所述第四导电层的材料为锡。

6.一种发光二极管的制造方法，其包括以下步骤：

提供一设置于蓝宝石基板上的发光二极管晶粒，且所述发光二极管晶粒未覆盖所述蓝宝石基板的周缘区域，所述发光二极管晶粒包括半导体结构、设置于所述半导体结构上的第一电极及第二电极，所述半导体结构包括依次堆叠设置的N型半导体层、发光活性层及P型半导体层，所述第一电极设置于所述P型半导体层，所述第二电极设置于所述N型半导体层；

形成一包覆所述发光二极管晶粒的封装层，并使所述第一电极及第二电极露出；

在所述封装层对应所述蓝宝石基板的周缘区域沿所述发光二极管晶粒的堆叠方向形成贯穿孔；

对应所述贯穿孔形成填满所述贯穿孔的导电结构；

在所述导电结构远离所述蓝宝石基板的一端形成电连接所述第一电极的第一导电层；以及

去除所述蓝宝石基板。

7.如权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，步骤“提供一设置于蓝宝石基板上的发光二极管晶粒，且所述发光二极管晶粒未覆盖所述蓝宝石基板的周缘区域，所述发光二极管晶粒包括半导体结构、设置于所述半导体结构上的第一电极及第二电极，所述半导体结构包括依次堆叠设置的N型半导体层、发光活性层及P型半导体层，所述第一电极设置于所述P型半导体层，所述第二电极设置于所述N型半导体层”具体包括：

提供一层叠结构，包括依次层叠设置的蓝宝石基板、N型半导体层、发光活性层及P型半导体层；

自上而下蚀刻所述N型半导体层、所述发光活性层及所述P型半导体层以形成一呈“凹”字型的半导体结构，且使得所述层叠结构周缘区域的蓝宝石基板裸露，所述半导体结构中所述N型半导体层包括裸露的第一部分以及连接于所述第一部分的周缘且被层叠的发光活性层及P型半导体层覆盖的第二部分；以及

在所述P型半导体层上形成第一电极，在所述第一部分形成第二电极。