[发明专利]发光二极管及其制造方法

说明书

一种发光二极管，其包括发光二极管晶粒及封装层，所述发光二极管晶粒包括半导体结构、第一电极及第二电极，所述半导体结构包括依次堆叠设置的N型半导体层、发光活性层及P型半导体层，所述第一电极设置于所述P型半导体层，所述第二电极设置于所述N型半导体层，所述封装层包覆所述发光二极管晶粒并露出所述N型半导体层、所述第一电极及所述第二电极，所述封装层沿所述半导体结构的堆叠方向开设与与所述发光二极管晶粒的周缘间隔设置的贯穿孔，所述发光二极管还包括导电结构及第一导电层，所述导电结构填满所述贯穿孔，所述第一导电层形成于所述导电结构靠近所述第一电极的一端，并电连接所述第一电极及所述导电结构。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。

然而，发光二极管在装设于其他电子元件如电路板上时，往往需要摆正所述发光二级管使得其带有电极的表面与所述电路板电连接，从而使得安装耗时较长且耗费人力。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种便于安装的发光二极管。

本发明还提供一种上述发光二极管的制造方法。

一种发光二极管，其包括发光二极管晶粒及封装层，所述发光二极管晶粒包括半导体结构、设置于所述半导体结构上的第一电极及第二电极，所述半导体结构包括依次堆叠设置的N型半导体层、发光活性层及P型半导体层，所述第一电极设置于所述P型半导体层，所述第二电极设置于所述N型半导体层，所述封装层包覆所述发光二极管晶粒并露出所述N型半导体层、所述第一电极及所述第二电极，所述封装层沿所述半导体结构的堆叠方向开设与与所述发光二极管晶粒的周缘间隔设置的贯穿孔，所述发光二极管还包括导电结构及第一导电层，所述导电结构填满所述贯穿孔，所述第一导电层形成于所述导电结构靠近所述第一电极的一端，并电连接所述第一电极及所述导电结构。

一种发光二极管的制造方法，其包括以下步骤：

提供一设置于蓝宝石基板上的发光二极管晶粒，且所述发光二极管晶粒未覆盖所述蓝宝石基板的周缘区域，所述发光二极管晶粒包括半导体结构、设置于所述半导体结构上的第一电极及第二电极，所述半导体结构包括依次堆叠设置的N型半导体层、发光活性层及P型半导体层，所述第一电极设置于所述P型半导体层，所述第二电极设置于所述N型半导体层；

形成一包覆所述发光二极管晶粒的封装层，并使所述第一电极及第二电极露出；

在所述封装层对应所述蓝宝石基板的周缘区域沿所述发光二极管晶粒的堆叠方向形成贯穿孔；

对应所述贯穿孔形成填满所述贯穿孔的导电结构；

在所述导电结构远离所述蓝宝石基板的一端形成电连接所述第一电极的第一导电层；以及

去除所述蓝宝石基板。

本发明的发光二极管，其包括沿所述发光二极管晶粒的堆叠方向贯穿所述发光二极管相对的正面及反面的导电结构，且所述导电结构一端与所述第一电极电连接，同时所述N型半导体层未被所述封装层覆盖，从而使得所述发光二极管的正面及反面均可与其他电子元件(如电路板)电连接进而发光，使得所述发光二极管的安装更加便捷快速。

附图说明

图1为本发明较佳实施方式中的层叠结构的剖视图。

图2为蚀刻图1所示的层叠结构形成半导体结构的剖视图。

图3为在图2所示的半导体结构上形成第一导电结合层的剖视图。