[发明专利]一种GST致密晶粒结构的自洁净玻璃的制造方法

说明书

本发明公开了一种GST致密晶粒结构的自洁净玻璃的制造方法，包括如下步骤：(1)在锡槽的635～640℃的温度区域设置第一镀膜反应装置，在锡槽的620～630℃的温度区域设置第二镀膜反应装置；(2)将第一原料气体送入第一镀膜反应装置中对锡槽中的玻璃基片进行镀膜反应；(3)将第二原料气体送入第二镀膜反应装置中对锡槽中的镀膜玻璃基片进行镀膜反应。本发明采用双层膜折射率梯度，通过膜层折射率梯度来降低复合膜层的折射率，大面积镀膜均匀性好，且成本低廉。

技术领域

本发明属于玻璃制造技术领域，具体涉及一种GST致密晶粒结构的自洁净玻璃的制造方法。

背景技术

玻璃作为一种传统的透明建筑材料中得到了最广泛的应用，但由于空气的污染加重，也使得玻璃建筑物的清洗工作日益艰难，自洁净玻璃为解决以上问题提供了一种新概念的功能建筑玻璃，

现有技术中，在线自洁净玻璃目前国内尚未产业化，主要是其工艺复杂和技术难度大，涉及到如化学、光学、物理学、玻璃生产工艺及材料学等多学科技术领域，尤其要求镀膜膜层必须具有去污自洁功能，，其性能指标必须满足自洁性的指标如光解指数大于或等于45/nmol/L/min、晶粒结构致密性等，同时要克服宽板边部与中间由于温差易引起的膜层不均匀缺陷，为此，需要对多台单槽镀膜机优化组合，合理布置好膜层的顺序结构，攻克大面积镀膜均匀性问题以及降低成本等关键技术问题。另外如何和低辐射节能玻复合使用，组成新型的自洁性节能型材料，也是一个推向幕墙使用重要技术难关。工艺生产上对镀膜专用设备的适用性、设计能力、镀膜稳定性等需要进行全面技术评估鉴定，才能确保镀膜器装置在生产使用中，精确操作和安全可靠。

发明内容

本发明的目的在于提供一种GST致密晶粒结构的自洁净玻璃的制造方法。

本发明的技术方案如下：

一种GST致密晶粒结构的自洁净玻璃的制造方法，该自洁净玻璃具有一复合膜层，通过膜层折射率梯度来降低复合膜层的折射率，且该复合膜层中掺杂质量分数为10～30％的二氧化硅，包括如下步骤：

(1)在锡槽的635～640℃的温度区域设置第一镀膜反应装置，在锡槽的620～630℃的温度区域设置第二镀膜反应装置；

(2)将第一原料气体中的各组分送入蒸发器前预热器进行预热，再送入蒸发温度为110～120℃的蒸发器中加热形成第一原料气体，接着将第一原料气体通过精确的计量系统计量送入第一镀膜反应装置中对锡槽中的玻璃基片进行镀膜反应以进行Si原子掺杂及膜层晶型确定膜层折射率，得镀膜基片；上述第一原料气体中，TTIP的摩尔百分比为0.2～1.0％，H₂O的摩尔百分比5.0～6.2％，载气的摩尔百分比78.9～81.9％，O₂的摩尔百分比12.9～13.9％；

(3)将第二原料气体中的各组分送入蒸发器前预热器进行预热，再送入蒸发温度为80～90℃的蒸发器中加热形成第二原料气体，接着将第二原料气体通过精确的计量系统计量送入第二镀膜反应装置中对锡槽中的镀膜玻璃基片进行镀膜反应以进一步进行Si原子掺杂及膜层晶型确定膜层折射率，即在玻璃基片上制得复合膜层，并制得所述GST致密晶粒结构的自洁净玻璃；上述第二原料气体中，TTIP的摩尔百分比为0.6～2.3％，H₂O的摩尔百分比为4.0～5.2％，载气的摩尔百分比为75.6～84.0％，O₂的摩尔百分比为11.4～16.9％。

在本发明的一个优选实施方案中，所述第一原料气体中的TTIP是钛酸异丙酯与正硅酸四乙酯质量分数为80～90％∶10～20％进行配比。

在本发明的一个优选实施方案中，所述第二原料气体中的TTIP是钛酸异丙酯与正硅酸四乙酯质量分数为70～80％∶20～30％进行配比。

在本发明的一个优选实施方案中，所述载气为氮气或惰性气体。