[发明专利]一种静电保护用LEMDS_SCR器件

权利要求书

1.一种静电保护用LEMDS_SCR器件，包括深埋氧层、P型陷区、衬底和N型漂移区，所述衬底位于所述深埋氧层的上方，所述P型陷区和N型漂移区位于所述衬底的表面，其特征在于，所述N型漂移区远离P型陷区的一侧具有P+掺杂区和N+掺杂区，所述P+掺杂区和N+掺杂区的下方设置有一个嵌入的P+注入区，所述嵌入的P+注入区位于N型漂移区里面。

2.根据权利要求1所述的静电保护用LEMDS_SCR器件，其特征在于，所述P+掺杂区与所述N+掺杂区相邻，所述P+掺杂区相比N+掺杂区更靠近P型陷区。

3.根据权利要求2所述的静电保护用LEDMDS_SCR器件，其特征在于，所述P型陷区具有与源极金属相连的N+ 源区和P+ 接触区，所述P+接触区与所述N+源区不接触。

4.根据权利要求3所述的静电保护用LEMDS_SCR器件，其特征在于，所述P型陷区和所述N型漂移区相互接触或不接触。

5.根据权利要求4所述的静电保护用LEMDS_SCR器件，其特征在于，所述P+掺杂区和N+掺杂区均位于所述嵌入的P+注入区的表面上。

6.根据权利要求5所述的静电保护用LEMDS_SCR器件，其特征在于，所述衬底为P+衬底。