[发明专利]集成电路封装、形成集成电路封装的方法及内连结构

说明书

本揭露实施例涉及一种集成电路封装、一种形成集成电路封装的方法及一种内连结构。本发明实施例公开一种具有提高的性能及可靠性的集成电路封装。所述集成电路封装包括集成电路管芯及布线结构。所述集成电路管芯包括具有周边边缘的导通孔。所述布线结构包括耦合到所述导通孔的导电结构。所述导电结构可包括顶盖区、布线区以及中间区。所述顶盖区可与所述导通孔的区域重叠。所述布线区可具有第一宽度，且所述中间区可沿所述导通孔的所述周边边缘具有第二宽度，其中所述第二宽度可大于所述第一宽度。所述中间区可被配置成将所述顶盖区连接到所述布线区。

技术领域

本发明实施例是有关于一种集成电路(integrated circuit，IC)封装、一种形成集成电路封装的方法及一种内连结构(interconnection structure)。

背景技术

随着集成电路技术的进步，在集成电路中具有更高的存储容量、更快的处理系统、及更高性能的组件的需求正日益增加。为满足这些需求，集成电路行业持续缩小例如半导体装置(例如，金属氧化物半导体场效晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistor，MOSFET)，包括平面MOSFET及鳍式场效晶体管(finFET))等集成电路组件的尺寸。此种缩放也增加了对更小且可靠的半导体管芯封装的需求。

发明内容

本发明实施例提供一种具有提高的性能及可靠性的集成电路(IC)封装。所述集成电路封装包括集成电路管芯及布线结构。所述集成电路管芯包括具有周边边缘的导通孔。所述布线结构包括耦合到所述导通孔的导电结构。所述导电结构可包括顶盖区、布线区以及中间区。所述顶盖区可与所述导通孔的区域重叠。所述布线区可具有第一宽度，且所述中间区可沿所述导通孔的所述周边边缘具有第二宽度，其中所述第二宽度可大于所述第一宽度。所述中间区可被配置成将所述顶盖区连接到所述布线区。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明实施例的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据一些本发明实施例的集成电路封装的侧面剖视图。

图2及图3是根据一些本发明实施例的集成电路封装的各种重布线层结构的俯视图。

图4是根据一些本发明实施例的集成电路封装的示例性重布线层结构的俯视图。

图5是根据一些本发明实施例的一种用于制作集成电路封装的方法的流程图。

图6至图11是根据一些本发明实施例的集成电路封装处于其制造工艺的各个阶段的剖视图。

现在将参照附图阐述说明性实施例。在附图中，相同的参考编号一般指相同、功能上类似、及/或结构上类似的元件。

[符号的说明]

100：集成电路封装；

101：第一集成电路封装；

102：第二集成电路封装；

103：封装间连接件；

104、110、404：导通孔；

104p：周边边缘；

104t、108t、112t：厚度；

105、605：集成电路管芯；

106、113、713：绝缘层；

107：前侧布线结构；

107s：前侧布线结构的顶表面；

108、108a、108b、408、708：重布线层结构；