[发明专利]天线、用于产生等离子体的电路，以及等离子体处理装置

说明书

本发明构思的实施例提供天线、等离子体产生电路、等离子体处理装置以及用于使用其制造半导体器件的方法。电路包括产生射频功率的射频功率源、接收射频功率以产生等离子体并具有第一互感的天线、以及将天线分别连接到射频功率源的电感器。电感器具有减小和/或消除第一互感的第二互感。

相关申请的交叉引用

该申请要求于2016年10月24日和2017年8月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0138589和10-2017-0098634号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明构思的实施例涉及用于制造半导体器件的装置和方法，以及，更具体地，涉及用于感应等离子体的天线、用于产生等离子体的电路、等离子体处理装置以及使用其制造半导体器件的方法。

背景技术

通常，半导体器件可以通过多个单元工艺制造。单元工艺可以包括沉积工艺、扩散工艺、热处理工艺、光刻工艺、抛光工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺和/或清洁工艺。这些单元工艺的蚀刻工艺可以包括干蚀刻工艺和/或湿蚀刻工艺。干蚀刻工艺可以使用等离子体来执行。衬底可以通过等离子体在高温下被加工或处理。

发明内容

本发明构思的实施例可以提供等离子体产生电路和等离子体处理装置，其能够稳定地匹配阻抗。

本发明构思的实施例还可以提供能够感应均匀等离子体的天线。

在本发明构思的一个方面，等离子体产生电路可以包括被配置为产生第一射频功率和第二射频功率的第一射频功率源和第二射频功率源、被配置为接收第一射频功率和第二射频功率以产生等离子体并具有第一互感的第一天线和第二天线、以及分别将第一天线和第二天线电连接到第一射频功率源和第二射频功率源的第一电感器和第二电感器。第一电感器和第二电感器可以具有第二互感以消除第一互感。

在本发明构思的一个方面，等离子体处理装置可以包括：腔室、被配置为将反应气体提供到腔室中的气体供应部件、以及在腔室上的并被配置为感应腔室中的反应气体的等离子体的等离子体产生电路。等离子体产生电路可以包括：被配置为产生第一射频功率和第二射频功率的第一射频功率源和第二射频功率源、被配置为通过使用第一射频功率和第二射频功率来产生等离子体的第一天线和第二天线，第一天线和第二天线具有第一互感、以及被配置为分别将第一天线和第二天线耦合到第一射频功率源和第二射频功率源的第一电感器和第二电感器。第一电感器和第二电感器可以具有第二互感以消除第一互感。

在本发明构思的一个方面，等离子体产生电路可以包括：被配置为产生射频功率的射频功率源、分别连接到射频功率源的匹配电路、被配置为分别匹配射频功率的阻抗的匹配电路、分别连接到匹配电路的天线、被配置为通过使用射频功率来产生等离子体的天线，并且天线具有第一互感、被配置为将天线分别接地的电容器、被配置为控制射频功率的阻抗的电容器、以及分别被连接在天线和匹配电路之间的电感器。电感器可以具有第二互感以消除第一互感。

在本发明构思的一个方面，天线可以包括输入电极、连接到输入电极的分支电极、分别连接到分支电极的线圈电极，线圈电极沿着连接分支电极的端部的假想圆延伸、以及分别连接到线圈电极的输出电极。输出电极可以平行于输入电极来布置。

在本发明构思的一个方面，用于制造半导体器件的方法可以包括提供衬底和在衬底上产生等离子体。等离子体的产生可以包括向布置在衬底的中心部分和边缘部分上的第一天线和第二天线供应第一射频功率和第二射频功率以通过第二互感消除第一天线和第二天线之间的第一互感，来没有第一射频功率和第二射频功率的干扰地蚀刻衬底。