[发明专利]OLED面板及其制作方法

权利要求书

1.一种OLED面板，其特征在于，包括：玻璃基板；制作于该玻璃基板上的TFT遮光层；沉积在该TFT遮光层上的缓冲层；沉积在该缓冲层上的半导体层，该半导体层经历图形化处理形成TFT有源层；沉积在该半导体层上经图形化处理的栅极绝缘层和第一金属层，并且该第一金属层覆盖区域以外的该半导体层经历导体化处理；沉积于该第一金属层上的层间绝缘层，在该层间绝缘层上设有源漏极接触区开孔；沉积于该层间绝缘层上的经历图形化处理的第二金属层；以原子层沉积方式沉积于该第二金属层上的钝化层，该钝化层为高介电常数材料的薄膜并且设有过孔；制作于该钝化层上的彩色滤光片、平坦层、阳极以及像素限定层，该平坦层对应于储存电容区域设有开孔结构；制作于该阳极上的发光层；制作于该发光层上的阴极；

所述钝化层厚度小于500埃；

所述高介电常数材料为Al₂O₃。

2.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括：

步骤1、提供玻璃基板，在玻璃基板上沉积一层金属并图形化该层金属作为TFT遮光层；

步骤2、依次沉积缓冲层以及半导体层，图形化该半导体层作为TFT有源层；

步骤3、依次沉积栅极绝缘层和第一金属层，图形化该栅极绝缘层和第一金属层，并且对第一金属层覆盖区域以外的半导体层进行导体化处理；

步骤4、沉积层间绝缘层，并且在该层间绝缘层上做出源漏极接触区开孔；

步骤5、沉积第二金属层，并且图形化该第二金属层；

步骤6、以原子层沉积方式沉积一层高介电常数材料的薄膜作为钝化层，并且蚀刻出过孔；

步骤7、依次完成彩色滤光片、平坦层、阳极及像素限定层的制作，该平坦层对应于钝化层设有过孔，并且在储存电容区域为开孔结构；

步骤8、制作发光层及阴极；

所述钝化层厚度小于500埃；

所述高介电常数材料为Al₂O₃。

3.如权利要求2所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述TFT遮光层的材料为Mo，Al，Cu，Ti或者合金。

4.如权利要求2所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述缓冲层为SiOx薄膜、SiNx薄膜或叠层结构薄膜。

5.如权利要求2所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述半导体层的材料为非晶氧化物半导体。

6.如权利要求5所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述半导体层的材料为IGZO，IZTO或IGZTO。