[发明专利]OLED面板及其制作方法

说明书

本发明涉及一种OLED面板及其制作方法。该OLED面板包括：玻璃基板；TFT遮光层；缓冲层；半导体层；沉积在半导体层上经图形化处理的栅极绝缘层和第一金属层；沉积于第一金属层上的层间绝缘层；沉积于层间绝缘层上的经历图形化处理的第二金属层；以原子层沉积方式沉积于该第二金属层上的钝化层，该钝化层为高介电常数材料的薄膜并且设有过孔；制作于该钝化层上的彩色滤光片、平坦层、阳极以及像素限定层，该平坦层对应于储存电容区域设有开孔结构；制作于该阳极上的发光层；制作于该发光层上的阴极。本发明还提供了相应的OLED面板制作方法。本发明的OLED面板及其制作方法能够有效提高OLED面板的储存电容，可以减小储存电容设计面积，从而有利于提高面板开口率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED面板及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active MatrixOLED，AMOLED)两大类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

现有OLED面板的像素驱动电路一般包括开关薄膜晶体管(Switch TFT)，驱动薄膜晶体管(Driver TFT)，以及存储电容(Cst)；开关TFT由扫描信号控制，用于控制数据信号的进入，驱动TFT用于控制通过OLED的电流，存储电容一般用于存储灰阶电压以决定驱动TFT的驱动电流。

如图1所示，其为现有OLED面板结构示意图，按照功能区域可划分为开关TFT区域，驱动TFT区域，以及存储电容区域。现有OLED面板主要包括：玻璃基板10；沉积于玻璃基板10上的遮光层(LS)11；沉积在遮光层11上的缓冲层(Buffer)12；沉积在缓冲层12上的半导体层13，该半导体层13可以为非晶氧化物半导体(AOS)，半导体层13与TFT电极相接触的区域可以提高掺杂浓度，例如可以形成N+导体层；沉积在半导体层13上的栅极绝缘层(GI)14；沉积在栅极绝缘层14上的第一金属层(即栅极金属层)15，用于形成TFT的栅极(G)；沉积于第一金属层15上的层间绝缘层(ILD)16；沉积于层间绝缘层16上的第二金属层(即源漏极金属层)17，第二金属层17经图案化一部分形成TFT的源极(S)和漏极(D)，一部分形成存储电容(对应于存储电容区域)；沉积于第二金属层17上的钝化层(PV)18，现有技术中钝化层18一般由SiOx制成；制作于钝化层18上的彩色滤光片(CF-RGB)19；制作于彩色滤光片上的平坦层(PLN)40；沉积于平坦层40上的阳极(Anode)41，可以是氧化铟锡(ITO)等透明氧化物；制作于阳极41上的像素限定层(PDL)42，用以界定OLED器件的发光区；利用蒸镀或喷墨打印(IJP)技术制作于阳极41上的发光层43；制作于发光层43上的阴极44；其它如封装结构等在此不再赘述。

目前顶栅极(Top gate)氧化物TFT设计中，储存电容采用氧化铟锡(ITO)-第二金属层(Metal2)-非晶氧化物半导体(AOS)结构构成，但由于Metal2与ITO之间夹层为钝化层(PV)和平坦层(PLN)两层(可参见图1)，而且两层厚度都较大，同样面积时储存电容容量较小，为了达到提高存储电容的需求只能增大储存电容面积，这样就会严重影响开口率。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种OLED面板，提高OLED面板的储存电容。

本发明的另一目的在于提供一种OLED面板的制作方法，提高OLED面板的储存电容。