[发明专利]光刻系统及增强图像对比度与写入集成电路图案的方法

权利要求书

1.一种增强图像对比度的方法，用于一光刻工艺，包括：

接收一集成电路设计布局，其中，该集成电路设计布局包括将形成于一工件的一目标图案；

根据该集成电路设计布局来产生一曝光图，其中，该曝光图包括一曝光网格，该曝光网格划分为组合以形成该目标图案的复数暗像素以及复数亮像素；以及

调整该曝光图以增加在该目标图案的多边缘上的曝光剂量，其中，调整该曝光图的步骤包括：

在该曝光图中定位该目标图案的一边缘部分，其中，该边缘部分具有一对应的亮像素；以及

将来自该等暗像素的至少一者的曝光剂量分配给该对应的亮像素，藉此产生一修改的曝光图，其中将来自该等暗像素的至少一个的曝光剂量分配给该对应的亮像素的分配包括：

将分配给该等暗像素的至少一个的一ON遮没指令改变为一OFF遮没指令，其中该ON遮没指令指示一光刻系统以遮没一能量束；以及

将一ON网格偏移指令分配给该等暗像素的至少一个，其中该ON网格偏移指令指示该光刻系统以偏移该能量束，使该能量束越过该曝光网格中的至少一个像素。

2.如权利要求第1项所述的增强图像对比度的方法，其中该边缘部分的定位包括识别在该ON遮没指令与该OFF遮没指令之间的一转换。

3.如权利要求第1项所述的增强图像对比度的方法，其中该边缘部分具有一对应的暗像素，且该等暗像素之至少一者的曝光剂量的分配包括将曝光能量自该对应的暗像素分配到该对应的亮像素。

4.如权利要求第3项所述的增强图像对比度的方法，其中该对应的暗像素沿着一扫描方向系位于该对应的亮像素的之前或之后。

5.如权利要求第1项所述的增强图像对比度的方法，其中该修改的曝光图的产生包括产生复数光刻写入指令给该等暗像素、该等亮像素和该对应的亮像素，使得当实施时，利用在该工件上的一单一扫描，该等光刻写入指令实现了给予该等暗像素的一第一曝光剂量、给予该等亮像素的一第二曝光剂量、以及给予该对应的亮像素的一第三曝光剂量，其中该第二曝光剂量大于该第一曝光剂量，且该第三曝光剂量大于该第二曝光剂量。

6.如权利要求第1项所述的增强图像对比度的方法，其中该曝光图及该修改的曝光图被用于光栅扫描该工件以在其上形成该目标图案。

7.如权利要求第1项所述的增强图像对比度的方法，更包括使用调整过的该曝光图执行一光刻制程。

8.如权利要求第7项所述的增强图像对比度的方法，其中该光刻制程为一电子束光刻制程。

9.一种写入集成电路图案的方法，用于增强一工件上的图像对比度，包括：

产生一能量束；以及

根据一曝光布局将该工件曝光于该能量束，其中该曝光布局包括定义该集成电路图案的复数暗像素及复数亮像素，且将该工件曝光于该能量束的曝光进一步包括：

将该能量束定位在对应该曝光布局的一第一暗像素的位置；

通过将分配给该第一暗像素的一ON遮没指令改变为一OFF遮没指令以及将一ON网格偏移指令分配给该第一暗像素，以不遮没但将该能量束偏移至一第一亮像素来将该第一暗像素曝光于该工件上，其中该ON遮没指令指示遮没该能量束，且该ON网格偏移指令指示偏移该能量束；

将该能量束定位在对应该第一亮像素的位置；以及

通过不遮没且不偏移该能量束来将该第一亮像素曝光于该工件上。

10.如权利要求第9项所述的写入集成电路图案的方法，其中该能量束被偏移以越过该曝光布局的一曝光网格的至少一个像素。

11.如权利要求9项所述的写入集成电路图案的方法，其中该能量束在垂直于该集成电路图案的一边缘的一扫描方向上扫描，使得该能量束沿着该扫描方向偏移到该第一亮像素。