[发明专利]光刻系统及增强图像对比度与写入集成电路图案的方法

说明书

本公开实施例提供了一种增强图像对比度的方法，用于增强光刻可印刷性，尤其是增强图像对比度的系统与方法。此方法包括接收集成电路(IC)设计布局且根据此集成电路设计布局来产生曝光图。IC设计布局包括将形成于工件的目标图案，且曝光图包括曝光网格，而此曝光网格划分为组合以形成目标图案的多个暗像素和多个亮像素。此方法还包括调整曝光图以增加在目标图案的多个边缘上的曝光剂量。在一些实施例中，调整步骤包括在曝光图中定位目标图案的边缘部分，其中，边缘部分具有一对应的亮像素；以及将来自至少一暗像素的曝光剂量分配给上述对应的亮像素，藉此产生修改的曝光图。

技术领域

本发明实施例关于一种光刻系统与光刻方法，且特别涉及一种用来增加图像对比度的光刻系统与光刻方法。

背景技术

随着集成电路(integrated circuit，IC)技术不断地向较小特征尺寸发展，例如32纳米(nanometer)，28纳米，20纳米及以下，IC设计变得更具挑战性。举例来说，当制造IC装置时，IC装置的性能严重的受到光刻可印刷性(lithography printability)能力的影响，这表示在晶片上形成的最终晶片图案与由IC设计布局定义的目标图案高度的相符合。已经引入了各种方法(例如浸润式光刻(immersion lithography)、多重曝光光刻(multiple patterning lithography)、极紫外光光刻(extreme ultraviolet(EUV)lithography)、以及和带电粒子束光刻(charged particle beam lithography))，以增强光刻可印刷性。尤其是，涉及使用不带掩模的带电粒子束来将IC图案写入工件上的带电粒子束光刻技术，可以形成小于光解析度的IC特征。然而，带电粒子束在扫描工件极限时的散射行为通常导致最终的晶片图案具有较差的图像对比度。因此，虽然现有的光刻系统和光刻方法一般已经足够用于预期目的，但是它们在所有方面并不完全地符合要求。

发明内容

本发明的一实施例提供一种增强图像对比度的方法，用于光刻工艺。此方法包括接收集成电路(IC)设计布局且根据此集成电路设计布局来产生曝光图。IC设计布局包括将形成于工件的目标图案，且曝光图包括曝光网格，而此曝光网格划分为组合以形成目标图案的多个暗像素和多个亮像素。此方法还包括调整曝光图以增加在目标图案的多个边缘上的曝光剂量。在一些实施例中，调整步骤包括在曝光图中定位目标图案的边缘部分，其中，边缘部分具有一对应的亮像素；以及将来自至少一暗像素的曝光剂量分配给上述对应的亮像素，藉此产生修改的曝光图。

为让本发明实施例的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。

附图说明

本发明实施例根据以下的详细说明并配合附图说明书附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，各图示用于对其进行说明目的且未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1表示根据本发明实施例的各个方面的带电粒子束系统的简化示意图。

图2表示当根据本发明实施例的各个方面来实施(例如，由图1的带电粒子束系统来实施)光栅扫描以执行带电粒子束光刻时的工件的简化示意性上视图。

图3表示根据本发明实施例的各个方面由光刻系统(例如，图1的带电粒子束系统)所实施的光刻方法的流程图。

图4表示根据本发明实施例的各个方面的IC设计布局的示意图。

图5表示根据本发明实施例的各个方面的曝光图的简化示意图。

图6表示根据本发明实施例的各个方面，被调整以实现增强的图像对比度的曝光图(例如，图5的曝光图)的简化示意图。

图7示意性地表示根据本发明实施例的各个方面，沿图6中的线B-B的曝光图的剂量曲线。