[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：并列设置于衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管包括第一绝缘层，所述第一绝缘层在对应所述第二薄膜晶体管的区域包括第一凹槽，所述第二薄膜晶体管位于所述第一凹槽内；

其中，所述第一凹槽底部所述第一绝缘层的厚度小于所述第一薄膜晶体管所在区域所述第一绝缘层的厚度；所述第一薄膜晶体管包含起绝缘作用的膜层都属于所述第一绝缘层；

所述第一凹槽底部所有所述第一绝缘层的厚度为0微米。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底表面还设置有缓冲层，所述第一薄膜晶体管位于所述缓冲层上；

所述缓冲层对应所述第二薄膜晶体管的区域包括第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽层叠设置；

其中，所述第二凹槽底部所述缓冲层的厚度小于所述第一薄膜晶体管所在区域所述缓冲层的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别为多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；

所述第一绝缘层包括第一栅绝缘层和/或第一层间绝缘层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一源极和第一漏极；

所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；所述第二栅极，或所述第二源极和所述第二漏极与所述第一源极和所述第一漏极同层设置。

6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有引线区，所述引线区包括第二过孔；所述第二过孔包括层叠的第一子过孔和第二子过孔，所述第二子过孔靠近所述衬底设置，且所述第二子过孔的孔径小于所述第一子过孔的孔径；

所述第二过孔处设置有导电层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽与所述第一子过孔同层设置；第二凹槽与所述第二子过孔同层设置。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底为柔性衬底；

所述第二过孔处还设置有第一有机层，所述第一有机层位于所述导电层靠近所述衬底一侧，且所述第一有机层覆盖所述第二过孔。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管所在的区域设置有第二有机层，第二薄膜晶体管设置于所述第二有机层上；所述第二有机层与所述第一有机层同层设置。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。

11.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一绝缘层；

其中，所述第一薄膜晶体管包含起绝缘作用的膜层都属于所述第一绝缘层；在形成所述第二薄膜晶体管之前，在对应所述第二薄膜晶体管的区域，去除所有所述第一绝缘层的厚度以形成第一凹槽。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之前，所述制备方法还包括：形成缓冲层；

在对应所述第二薄膜晶体管的区域，去除所述缓冲层至少部分厚度以形成第二凹槽。

13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述第一绝缘层包括第一栅绝缘层和/或第一层间绝缘层；

所述第一薄膜晶体管还包括第一源极和第一漏极；

所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；

所述第二栅极，或所述第二源极和所述第二漏极与所述第一源极和所述第一漏极通过同一次构图工艺形成。