[发明专利]体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基板，基板保护层设置在所述基板的顶表面上；

膜层，与所述基板限定腔；以及

谐振部，设置在所述膜层上，

其中，所述膜层包括第一层和第二层，所述第二层设置在所述第一层上并包括与所述第一层的材料相同的材料，并且所述第二层的密度大于所述第一层的密度。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第二层包括当射频偏压施加到处于等离子状态的所述基板并提供有氩粒子时形成的材料。

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述膜层包括具有氮化硅或氧化硅的材料。

4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述谐振部包括：

下电极，形成在所述膜层上；

压电层，覆盖所述下电极的一部分；以及

上电极，设置在所述压电层上。

5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：

钝化层，设置在所述上电极和所述下电极的部分上；以及

金属焊盘，形成在所述上电极和所述下电极的未形成钝化层的部分上。

6.根据权利要求5所述的体声波谐振器，其中，所述上电极包括设置在有效区域的边缘处的框架部。

7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述膜层设置为与所述腔平行，并延伸为覆盖腔形成层。

8.一种制造体声波谐振器的方法，所述方法包括：

在基板上设置牺牲层；

使用膜层覆盖所述牺牲层；

软蚀刻所述膜层，以形成第一层和第二层；以及

在所述膜层上设置谐振部，

其中，所述第二层设置在所述第一层上，并且所述第二层的密度大于所述第一层的密度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述软蚀刻的步骤包括向处于等离子状态的所述基板施加RF-偏压以使氩粒子与所述膜层的表面碰撞。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，设置所述谐振部的步骤包括：

在所述膜层上设置下电极；

使用压电层覆盖所述下电极的至少一部分；以及

在所述压电层上设置上电极。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述膜层包括包含氮化硅或氧化硅的材料。

12.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括：

形成钝化层以使所述上电极和所述下电极的部分暴露；以及

在所述上电极和所述下电极的向外地暴露的部分上设置金属焊盘。

13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括使用卤化物基蚀刻气体去除所述牺牲层以形成腔，

其中，所述牺牲层包括硅基材料。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，设置所述上电极的步骤包括在有效区域的边缘处设置框架部。

15.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二层的厚度小于所述第一层的厚度。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第二层的表面粗糙度低于所述第一层的表面粗糙度。