[发明专利]体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法

说明书

本发明提供一种包括体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法。所述体声波谐振器包括：基板，基板保护层设置在所述基板的顶表面上；膜层，与所述基板限定腔；以及谐振部，设置在所述膜层上。所述膜层包括第一层和第二层，所述第二层具有与所述第一层的材料相同的材料，并且所述第二层的密度大于所述第一层的密度。

本申请要求于2016年10月28日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0142331号韩国专利申请以及于2017年3月23日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0036662号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法。

背景技术

在体声波谐振器(BAWR)中，压电薄膜的晶体特性对体声波谐振性能的各个方面具有显著的影响。因此，目前正在研究能够改善压电薄膜的晶体特性的各种方法。

为了改善压电薄膜的晶体特性，通常的方法是优化用于压电层的氮化铝(AlN)的沉积操作。这样的方法因沉积操作的特点而在改善晶体特性方面具有限制。作为示例，典型的沉积方法可包括通过优化压电层的沉积操作或者改善位于下层的电极和种子层的类型或沉积操作来确保结晶度。

可使用一种用于提高电极薄膜的结晶度的方法，该方法使用用于改善压电层的晶体特性的氮化铝(AlN)的下层，但仅通过优化沉积操作，在提高电极薄膜的结晶度方面存在限制。

因此，开发一种能够使压电薄膜(能够改善体声波谐振性能)的晶体特性改善的结构以及用于制造该结构的方法是有用的。

发明内容

提供本发明内容以按照简化形式介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板，基板保护层设置在所述基板的顶表面上；膜层，与所述基板限定腔；以及谐振部，设置在所述膜层上。所述膜层包括第一层和第二层，所述第二层具有与所述第一层的材料相同的材料，并且所述第二层的密度大于所述第一层的密度。

所述第二层可包括当RF-偏压施加到处于等离子状态的所述基板并提供有氩粒子时形成的材料。

所述膜层可包括具有氮化硅或氧化硅的材料。

所述谐振部可包括：下电极，形成在所述膜层上；压电层，覆盖所述下电极的一部分；以及上电极，设置在所述压电层上。

所述体声波谐振器还可包括：钝化层，设置在所述上电极和所述下电极的部分上；以及金属焊盘，形成在所述上电极和所述下电极的未形成钝化层的部分上。

所述上电极可包括设置在有效区域的边缘处的框架部。

所述膜层可设置为与所述腔平行，并可延伸为覆盖腔形成层。

在一个总体方面，提供一种制造体声波谐振器的方法，所述方法包括：在基板上设置牺牲层；使用膜层覆盖所述牺牲层；软蚀刻所述膜层，以形成第一层和第二层；以及在所述膜层上设置谐振部。

所述第二层的密度可大于所述第一层的密度。

所述软蚀刻的步骤可包括向处于等离子状态的所述基板施加RF-偏压以使氩粒子与所述膜层的表面碰撞。

设置所述谐振部的步骤可包括：在所述膜层上设置下电极；使用压电层覆盖所述下电极的至少一部分；以及在所述压电层上设置上电极。

所述膜层可包括包含氮化硅或氧化硅的材料。

所述方法还可包括：使所述上电极和所述下电极的部分暴露；以及在所述上电极和所述下电极的向外地暴露的部分上设置金属焊盘。