[发明专利]微发光二极管显示面板以及显示装置

说明书

本发明实施例公开了一种微发光二极管显示面板以及显示装置。该微发光二极管显示面板包括多个微发光二极管，每个微发光二极管包括层叠设置的第一电极、半导体层和第二电极，半导体层位于第一电极和第二电极之间；半导体层包括沿第一电极至第二电极的方向上依次层叠设置的第一半导体层、活性层和第二半导体层；每个微发光二极管的第一电极由n个形状和大小相同且相互绝缘的第一子电极构成，n为大于1的整数，每个第一子电极在第二电极所在平面的投影均在第二电极内。本发明提供的微发光二极管显示面板通过在一个较大的微发光二极管中制作多对电极，降低了制作微发光二极管的难度，减少了边缘效应，增加了发光效率。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种微发光二极管显示面板以及显示装置。

背景技术

微发光二极管技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸发光二极管(Micro-Light Emitting Diode，Micro-Led)阵列的技术，通过该技术可以形成高分辨率的微发光二极管显示面板，微发光二极管具有发光效率高、能耗低和解析度高等优点。

目前的微发光二极管显示面板中，每个微发光二极管的尺寸仅在1至10μm左右，给微发光二极管的制作、转移、操作、控制与处理带来很大的困难。图1为现有技术微发光二极管俯视图，图2为图1沿AA’方向上的截面图，结合参考图1和图2，现有技术的每个微发光二极管100只有一对控制电极101和102，控制电极101和102通过在器件中形成电场，使得正负载流子在发光层20复合发光，形成一个子像素。由于每个微发光二极管只作为一个子像素，在微发光二极管显示面板分辨率较高时，微发光二极管从生长基板转运到最终基板重复次数多，效率低，并导致良率低。并且，微发光二极管100切割边缘的原子排列比内部的原子排列杂乱，有缺陷，能带也会受到影响，在边缘地带发光效率会变低，所以要尽量让电流从内部流过，提高发光效率。而现有技术中的微发光二极管100切割边缘长度/有效发光面积的比值较大，边缘效应严重，影响微发光二极管100发光效率。

发明内容

本发明提供一种微发光二极管显示面板以及显示装置，以降低微发光二极管显示面板的制作难度并提高显示效率。

第一方面，本发明实施例提供了一种微发光二极管显示面板，该微发光二极管显示面板包括多个微发光二极管，每个微发光二极管包括层叠设置的第一电极、半导体层和第二电极，半导体层位于第一电极和第二电极之间。半导体层包括沿第一电极至第二电极的方向上依次层叠设置的第一半导体层、活性层和第二半导体层。每个微发光二极管的第一电极由n个形状和大小相同且相互绝缘的第一子电极构成，n为大于1的整数，每个第一子电极在第二电极所在平面的投影均在第二电极内。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明任意实施例提供的微发光二极管显示面板。

本发明实施例通过将每个微发光二极管的第一电极设置成n个形状和大小相同且相互绝缘的第一子电极，n为大于1的整数，且每个第一子电极在第二电极所在平面的投影均在第二电极内，每个微发光二极管有多对控制电极，每个微发光二极管可作为多个子像素使用，通过此种结构，不仅使得微发光二极管的尺寸变大，进而易于制作和对其操作，而且此种结构降低了微发光二极管切割边缘长度/有效发光面积的比值，使边缘效应减弱，提高了微发光二极管的发光效率。

附图说明

图1为现有技术微发光二极管俯视图；

图2为图1沿AA’方向上的截面图；

图3为本发明实施例提供的一种微发光二极管的俯视图；

图4为图3沿BB’方向上的截面图；

图5为图3所示微发光二极管活性层的俯视示意图；

图6为图3所示微发光二极管的电流流动示意图；

图7为3个非多电极微发光二极管俯视图；