[发明专利]氮化硅层叠膜、有机电致发光元件、电子纸和光学调整膜以及氮化硅层叠膜的制造方法

权利要求书

1.一种氮化硅层叠膜，其特征在于，是具备柔性基材、和形成于所述柔性基材的至少一侧的表面上的单层或多层的薄膜层的氮化硅层叠膜，

所述单层或多层的薄膜层之中的至少1层特定薄膜层含有硅、氮和氢，

表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与氢原子的含量的关系的氢分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。

2.根据权利要求1所述的氮化硅层叠膜，其中，所述特定薄膜层还含有碳。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的氮化硅层叠膜，其中，所述氢分布曲线的氢原子含量的最大的极大值相对于最小的极小值的比为1.1以上。

4.根据权利要求1所述的氮化硅层叠膜，其中，所述氢分布曲线具有多个极大点，所述氢分布曲线上邻接的2个极大点的所述膜厚方向位置的差的绝对值为60nm以下。

5.根据权利要求1所述的氮化硅层叠膜，其中，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与硅原子的含量的关系的硅分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。

6.根据权利要求5所述的氮化硅层叠膜，其中，所述硅分布曲线中的硅原子含量的最大的极大值相对于最小的极小值的比为1.1以上。

7.根据权利要求5或权利要求6所述的氮化硅层叠膜，其中，所述硅分布曲线具有多个极大点，所述硅分布曲线上邻接的2个极大点的所述膜厚方向位置的差的绝对值为60nm以下。

8.根据权利要求1所述的氮化硅层叠膜，其中，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与通过二次离子质谱分析法测量的NSi－离子的检测强度相对于H－离子的检测强度的比的关系的NSi－/H－分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。

9.根据权利要求8所述的氮化硅层叠膜，其中，所述NSi－/H－分布曲线的最大的极大值相对于最小的极小值的比为1.1以上。

10.根据权利要求8或权利要求9所述的氮化硅层叠膜，其中，所述NSi－/H－分布曲线具有多个极大点，所述NSi－/H－分布曲线上邻接的2个极大点的所述膜厚方向位置的差的绝对值为60nm以下。

11.根据权利要求1所述的氮化硅层叠膜，其中，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与通过二次离子质谱分析法测量的NSi－离子的检测强度相对于Si－离子的检测强度的比的关系的NSi－/Si－分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。

12.根据权利要求11所述的氮化硅层叠膜，其中，所述NSi－/Si－分布曲线的最大的极大值相对于最小的极小值的比为1.1以上。

13.根据权利要求11或权利要求12所述的氮化硅层叠膜，其中，所述NSi－/Si－分布曲线具有多个极大点，所述NSi－/Si－分布曲线上邻接的2个极大点的所述膜厚方向位置的差的绝对值为60nm以下。

14.根据权利要求1所述的氮化硅层叠膜，其中，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与硅原子的含量的关系的硅分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点，所述氢分布曲线的极大点与所述硅分布曲线的极大点的所述膜厚方向位置的差为5nm以下。