[发明专利]氮化硅层叠膜、有机电致发光元件、电子纸和光学调整膜以及氮化硅层叠膜的制造方法

说明书

本发明其课题在于，提供一种既具有充分的阻气性，翘曲又小的氮化硅层叠膜。本发明的氮化硅层叠膜，其特征在于，是具备柔性基材、和形成于所述柔性基材的至少一侧的表面的单层或多层的薄膜层的氮化硅层叠膜，所述单层或多层的薄膜层之中至少1层的特定薄膜层含有硅、氮和氢，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与氢原子的含量的关系的氢分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。

技术领域

本发明涉及氮化硅层叠膜、有机电致发光元件、电子纸和光学调整膜以及氮化硅层叠膜的制造方法。

背景技术

例如在由树脂等形成，具有挠性的片状的柔性基材的表面，形成有氮化硅等金属化合物的薄膜层的层叠膜，被作为阻气膜利用。作为以金属化合物层叠膜作为阻气膜使用的例子，可列举有机电致发光元件，电子纸，例如用于有机薄膜太阳能电池、液晶显示器等的光学调整膜，例如医药品、饮品食品、化妆品、洗涤剂等的包装容器用材料等。

作为在柔性基材的表面形成金属化合物的薄膜层的方法，可知例如有真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等的物理气相沉积法(PVD)、低压化学气相沉积法、等离子体化学气相沉积法等的化学气相沉积法(CVD)等。

另外，提出有一种金属化合物层叠膜，其通过在金属化合物的薄膜层的膜厚方向的规定区域，使氧原子含有率[atm％]比硅原子含有率[atm％]大，且使硅原子含有率比碳原子含有率[atm％]大，从而提高弯曲性(日本专利第5513959号公报)。另外，所述公报中记述，通过等离子体化学气相沉积法形成金属化合物层。

但是，若由这种现有的方法在柔性基材上层叠金属化合物，则由于金属化合物的膜的压缩应力，导致金属化合物层叠膜发生翘曲。特别是若加大金属化合物层的膜厚以便能够得到充分的阻气性，则金属化合物层叠膜的翘曲变大，利用时，例如存在向其他的构件贴装作业等引起故障的情况。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本专利第5513959号公报

发明内容

本发明鉴于所述问题点而做，其课题在于，提供一种既具有充分的阻气性，翘曲又小的氮化硅层叠膜、有机电致发光元件、电子纸和光学调整膜以及氮化硅层叠膜的制造方法。

用于解决所述课题而形成的发明是一种氮化硅层叠膜，其特征在于，是具备柔性基材、和形成于所述柔性基材的至少一侧的表面的单层或多层的薄膜层的氮化硅层叠膜，所述单层或多层的薄膜层之中的至少1层特定薄膜层含有硅、氮和氢，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与氢原子的含量的关系的氢分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。

该氮化硅层叠膜，由于在膜厚方向具有氢原子含量小而压缩应力大的部分和氢原子含量大而压缩应力小的部分，从而整体上应力得到松弛，膜的翘曲降低。另外，该氮化硅层叠膜中，薄膜层根据膜厚方向位置而生长方式有所不同，从而在薄膜层的形成过程中，可抑制缺陷从柔性基材侧朝向膜表面生长，因此阻气性优异。

所述特定薄膜层也可以再含有碳。由此，所述特定薄膜层的挠性提高，因弯曲导致的特定薄膜层的裂纹受到抑制，从而该氮化硅层叠膜的阻气性难以受损。

所述氢分布曲线的氢原子含量的最大的极大值相对于最小的极小值的比为1.1以上即可。由此，能够使以下两方面并立，即，由氢原子含量小的部分带来的阻气性提高，以及由氢原子含量大的部分的应力松弛功能带来的翘曲降低。另外，所述氢分布曲线的氢原子含量的最大的极大值相对于最小的极小值的比为上述下限以上，则折射率变大，从而也能够提高该氮化硅层叠膜的光学功能。

所述氢分布曲线具有多个极大点，所述氢分布曲线上邻接的2个极大点的所述膜厚方向位置的差的绝对值为60nm以下即可。由此，氢原子含量小而压缩应力大的部分、和氢原子含量大而压缩应力小的部分的距离变小，因此该氮化硅层叠膜的翘曲抑制效果更加显著。