[发明专利]一种物联网中的全CMOS基准电路

权利要求书

1.一种物联网中的全CMOS基准电路，包括：

一启动电路，通过单个NMOS管驱动所述基准电路；

一运算放大电路，采用自偏置差分结构，最大程度减小因电流变化对电路产生的影响；

一核心基准电路，采用共源共栅结构，产生的基准电压的精度也非常高，由于整个电路中没有采用电阻，也没有采用三极管，全部都是MOS晶体管，所以总体电路的面积非常小。

2.如权利要求1所述的全COMS基准电路，其特征在于：所述启动电路由第十NMOS管NM10构成；如权利要求1所述的低功耗COMS基准电路，其特征在于：所述运算放大电路由第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4构成；PM1管的源极、PM2的源极和PM3管的源极都与电源电压VDD相连接；PM1管的栅极与PM1管的漏极、NM1管的漏极和PM2管的栅极相连接；PM2管的漏极与NM2管的漏极、PM3管的栅极和NM10管的漏极相连接；PM3管的漏极与NM10管的栅极、NM4管的漏极、NM4管的栅极、NM3管的栅极相连接，其节点标注为VC；NM1管的栅极和NM10管源极相连接，其节点标注为VB；NM1管的源极与NM2管的源极和NM3管的漏极相连接；NM3管的源极和NM4管的源极接地；如权利要求1所述的低功耗COMS基准电路，其特征在于：所述核心基准电路由第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8和第九NMOS管NM9构成；PM4管的源极、PM5管的源极和PM6管的源极都与电源电压VDD相连接；PM4管的栅极、PM5管的栅极和PM6管的栅极都与PM3管的栅极相连接；PM4管的漏极与NM2管的栅极、NM5管的漏极和NM5管的栅极相连接，其节点标注为VA；PM5管的漏极与NM10管的源极、NM7管的漏极、NM7管的栅极、NM8管的漏极和NM8管的栅极相连接；NM7管的源极与NM6管的栅极和NM6管的漏极相连接；PM6管的漏极与NM9管的栅极和NM9管的漏极相连接，其节点作为基准电压VREF的输出端；NM5管的源极、NM6管的源极、NM8管的源极和NM9管的源极接地。